【摘 要】
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该文主要对大曲面镀膜技术中的厚度均匀性及其ZnS头罩上镀制GeC薄膜的相关问题进行了研究.首先,在ZnS衬底上设计了GeC增透保护膜系,实现了8~15μm波段内宽波段增透.同时对膜
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该文主要对大曲面镀膜技术中的厚度均匀性及其ZnS头罩上镀制Ge<,x>C<,1-x>薄膜的相关问题进行了研究.首先,在ZnS衬底上设计了Ge<,x>C<,1-x>增透保护膜系,实现了8~15μm波段内宽波段增透.同时对膜系中的结构敏感因子参数(n、d)进行了分析.其次,对静止时的半球面形衬底上薄膜厚度分布进行了理论计算分析,并进行了实验验证.建立了大曲面(半球面形头罩)上获得镀膜整体均匀性的方案,进行了理论分析计算,并编制了控制该过程的应用程序.最后,在头罩镀膜专用设备上对射频磁控反应溅射法制备Ge<,x>C<,1-x>薄膜进行了工艺试验,着重探讨射频功率、气体流量比(CH<,4>/(Ar+CH<,4>))、工作气压、衬底温度等主要工艺参数对Ge<,x>C<,1-x>膜的结合强度、折射率、沉积速率等的影响规律.
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