碳化锗相关论文
碳化锗(GexC1-x)薄膜做为红外窗口材料的独特性能引起人们的关注。它具有低应力和低光吸收系数,与大多数红外基底材料结合良好,特......
把GeC/GaP双层膜用作ZnS衬底的长波红外(8~11.5μm波段)增透保护膜系。采用射频磁控溅射法,以高纯Ar为工作气体、单晶GaP圆片为靶......
该文主要对大曲面镀膜技术中的厚度均匀性及其ZnS头罩上镀制GeC薄膜的相关问题进行了研究.首先,在ZnS衬底上设计了GeC增透保护膜系......
利用磁控溅射方法以CH4和Ar的混合放电气体溅射单晶Ge靶制备碳化锗（Ge1-xCx）薄膜，通过XPS、Raman和Nanoindentation等表征手段系统地......
利用磁控溅射制备碳化锗（Ge1-xCx）薄膜,系统地研究了生长温度（Tg）对所获薄膜成分及性能的影响并揭示了它们之间的内在关系。研究发现所......
利用磁控溅射方法在ZnS基底上设计并制备了一种Ge1-xCx双层膜,研究发现双面镀Ge1-xCx双层膜后,ZnS基底在8～11.5μm远红外波段的平均......
利用射频磁控反应溅射法，以Ａｒ，ＣＨ４为原料气体，在较宽的工艺参数范围内制备出了ＧｅｘＣ１－ｘ薄膜，研究了极板间距对沉积的影响。结果表明，随极板间距的减小......
系统地研究了射频磁控反应溅射中工艺参数ＧｅｘＣ１－ｘ薄膜沉积率的影响，结果表明，当气体流量比过某值后，沉积速率较大的下降。沉积速率随射频率功......
为了提高锗基底的透过率和环境适应性,镀制了增透保护膜。应用电子枪蒸发加霍尔离子源辅助的方法沉积了碳化锗(Ge1-xCx)薄膜。通过......
采用离子束溅射法通过在CH4和Ar的混合气体中溅射Ge靶材制备碳化锗（Ge_（1-x）C_x）薄膜.分别通过原子力显微镜、拉曼光谱和X射线光电子能......
碳化锗(GexC1-x)薄膜做为红外窗口材料的独特性能引起人们的关注。它具有低应力和低光吸收系数,与大多数红外基底材料结合良好,特......
