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柔性OLED被认为是最具发展前景的下一代显示技术之一,但由于H2O、O2等有害气体的侵蚀,使柔性OLED器件很难达到商用显示器件1×104h的最低使用寿命标准,在柔性衬底上制备保护层是阻隔H2O、O2等有害气体对器件的侵蚀,延长器件使用寿命的有效方法。而高密度的SiNx和SiNxOy薄膜对气体具有良好的阻隔性能。本论文利用直流脉冲磁控溅射方法制备SiNx及SiNxOy薄膜,探讨反应压强、气体流量配比等沉积参数对SiNx及SiNxOy薄膜结构、性能的影响。研究结果表明:1、在N2/Ar比例不变的情况下,随着反应压强的增加,所制备SiNx薄膜中Si-N键含量逐渐下降,而Si-O键的含量逐渐增加,当反应压强大于1.0Pa后,Si-O键已经成为薄膜的主要结构;2、在反应压强不变的情况下,随着N2/Ar比例的增加,所制备SiNx薄膜中Si-N键含量逐渐下降,而Si-O键的含量逐渐增加,当N2/Ar比例大于0.6之后,Si-O键已经成为薄膜的主要结构;3、在低反应压力及低N2/Ar比例条件下,由于SiNx薄膜中Si-N键含量较高,薄膜具有较好的阻透性能和疏水性能;随着反应压强的增加及N2/Ar比例的增加,由于SiNx薄膜中Si-O键含量的增加,SiNx薄膜的疏水性能及阻透性能变差。在最佳参数条件下制备的SiNx薄膜,具有较好的疏水性能、阻透性能,残余应力较低,同时薄膜在可见光波段透过率超过90%,表明在最佳参数条件下制备的SiNx薄膜能够满足柔性OLED对衬底保护膜透光率、疏水性和H2O/O2阻透性能的要求;4、在SiNx薄膜最佳制备参数条件下,反应气体中掺入少量O2,采用直流脉冲磁控溅射方法制备SiNxOy薄膜。由于O元素活泼性远大于N元素,当混合气体比例为N2:Ar:O2=10:20:2时,SiNxOy薄膜中Si-N键与Si-O键含量相当;继续增加O2流量,则薄膜以Si-O键结构为主。SiNxOy薄膜的可见光透过率都在90%以上;同时,由于SiO2薄膜的疏水性能、阻透性能低于SiNx薄膜,因此,随着SiNxOy薄膜中Si-O键含量的增加,薄膜的疏水性能、阻透性能变差。