近年来，因能耗低、发光效率高、寿命长、对环镜友好等优点白光发光二极管(WLED)得到了越来越多的研究。白光可以通过LED芯片激发荧光粉转化得到。因此寻找高效的可以将LED芯片发出光转化成可见光的荧光粉变得尤为重要。　　本研究主要内容包括：⑴采用微乳液-水热法成功合成一系列ZnWO4:x％Eu3+(x=0~9)荧光粉。样品的X射线衍射图谱表明样品为单斜晶系单晶，Eu3+以取代的方式进入Zn2+格位。通过扫描电镜看到合成的样品为不规则的球状，颗粒尺寸在0.5~1.0μm范围内。样品的荧光光谱证明了WO42-与Eu3+之间存在能量传递，通过调节Eu3+的掺杂量实现了光色调谐。⑵采用微乳液-水热法成功合成一系列NaLa(MoO4)2(NLM):Eu3+/Tb3+/Tm3+单/共掺荧光粉。样品的X射线衍射图谱表明样品均为四方晶系单晶，Eu3+、Tb3+、Tm3+均以取代的方式进入La3+的格位。扫描电子显微镜照片显示样品呈四方片状形貌，颗粒尺寸1~1.5μm。荧光光谱对NLM：Eu3+/Tb3+/Tm3+单、共掺荧光粉发光性质进行了探讨。⑶当Eu3+掺杂浓度为是9%时，NLM:9%Eu3+荧光粉在616 nm发射峰是最强的，此时在NLM基质中Eu3+之间的临界传递距离(Rc)约为15.20?。在NLM:9%Eu3+的发射光谱中，591 nm处的发射峰为Eu3+的5D0→7F1的磁偶极跃迁；616 nm处的发射峰为Eu3+的5D0→7F2的电偶极跃迁，电偶极跃迁发射强度约是磁偶极跃迁强度的10倍，表明Eu3+位于无反演对称中心格位。同时也研究了Tb3+和Tm3+的激发与发射光谱。采用固定Eu3+(Tb3+)的浓度，改变Tb3+(Eu3+)浓度的方法，研究了Eu3+与Tb3+之间的能量传递机理。通过调节Eu3+、Tb3+和Tm3+的掺杂浓度，实现在单一基质条件下可见光区域的光色调节，在360 nm激发下NLM:x%Eu3+,y%Tb3+,z%Tm3+荧光粉的发光由蓝光调到白光)。