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采用磁控溅射和真空蒸镀的制备技术制备出了具有垂直结构的ZnPc薄膜二极管和薄膜晶体管、PbPc薄膜二极管和薄膜晶体管以及ZnPc/PbPc共混蒸镀的薄膜二极管和薄膜晶体管。共混蒸镀薄膜是具有ZnPc和PbPc两种组分的有机共晶体,它具有特殊的分子堆积方式和结构,使得该混合薄膜不仅保留了各自组分本身的特性,还展现了更加优良的光电特性,相较于单一型酞菁系有机器件,它可以拓宽薄膜对于可见光的吸收范围和改善器件的内部载流子输运,从而使薄膜有机器件具有更好的光电特性和载流子传输特性。本文主要对ZnPc和PbPc混合比例为1:1的共混蒸镀有机薄膜器件进行研究。使用双光束紫外可见光光度计,原子力显微镜,台阶测试仪和其他测试I-V特性所需的测试仪器对有机薄膜器件进行测试。通过对不同类型的有机薄膜器件进行对比,发现混合比例为1:1的ZnPc/PbPc共混蒸镀薄膜的陷阱能团更少,该类型器件具有更好的输出特性。通过物理表征的结果发现,混合比例为1:1的ZnPc/PbPc共混蒸镀薄膜的吸收光谱范围是280-900nm,吸收峰在341nm时具有最大的吸收率,吸收率为0.677,该混合薄膜属于无定型的形态,混合有机材料的蒸发速率为5.4nm/min。对ZnPc:PbPc混合质量比为1:1的共混蒸镀薄膜二极管进行了交流特性测试、光电测试和电容-电压测试,通过测试结果可以发现这种混合方式更符合二极管的交流模型,符合输入电压频率越高,输出电流越大的特点,并计算出了光电二极管的填充因子FF、光-电能量转换效率η、阈值电压VTH和载流子浓度NP。同时对ZnPc:PbPc混合质量比为1:1的共混蒸镀薄膜晶体管进行了电流-电压特性测试,计算可得在VDS=3V,VGS=0.2V时的电流在0.2m A左右,器件的载流子浓度NP为2.49×1015/cm3,电导率σ为2.5×10-9S/cm和迁移率μ为6.28×10-6cm2/Vs,并计算出了包括跨导gm,输出电阻r D和放大倍数μ的晶体管特性参数,解析了共混蒸镀薄膜二极管的退化机制。