随着笔记本电脑、手机、数码照相机等移动设备和数码产品的普及,对应各种电池电源使用的集成电路的开发越来越活跃。由于CMOS低压差稳压器具有结构简单、成本低廉、低功耗以及较小的器件尺寸等特点,使其在便携式电子产品中得到广泛的应用。 本课题是对CMOS低压差稳压器的逆向设计。首先,通过解剖样品,提取出电路图以及管子、电阻和电容尺寸。把电路划分成电源控制电路、电压基准电路、误差放大电路、输出调整管和短路保护电路五个主要模块,对各主要模块进行分析计算,通过仿真,确定管子的尺寸以及电阻、电容值,使电路整体性能参数达到最优。然后,根据对样品解剖和对电路分析仿真的结果,给出了芯片可能的工艺过程。最后,给出了芯片版图。 本课题采用2μm n阱硅栅工艺模型,通过Hspice软件对各关键模块及整体电路进行了仿真,仿真结果为:电路静态电流小于80μA,输出电压3V,输出电流100mA,当输出电流100mA时,输入输出电压差180mV,短路保护电流45mA,输出电压精度2%。 仿真结果验证了电路具有良好特性,该电路采用标准CMOS工艺实现,具有较高的实用价值。