本文通过丝网印刷技术和气溶胶辅助化学气相沉积技术研究了气敏膜的制备及膜的气敏特性。采用水热法分别制备纳米SnO2和In2O3粉体,通过加入微量In2O3掺杂,并调节玻璃粉加入量为5 wt%,以丝网印刷技术制备气敏厚膜,烧结温度调节为700℃。XRD、SEM测试表明厚膜表面的SnO2平均粒径为10 nm,厚膜表面为多孔结构。气敏测试结果表明:In2O3掺杂为7 wt%的厚膜元件有较好气敏性能,在40℃下能识别2 ppm的H2S气体,灵敏度为2.66;对30 ppm H2S灵敏度可达621。在热清洗后有较好的稳定性。通过水热掺杂法制备了In2O3和TiO2、活性Al2O3掺杂的厚膜气敏元件,分别可以识别300 ppm和800 ppm的甲烷气体。以SnCl2的乙醇溶液为前驱物,采用气溶胶化学气相沉积的方法研究了气敏薄膜的制备,系统研究了沉积时间、沉积温度、前驱物的浓度对薄膜电阻、气敏性能的影响。优化得出了制备纯SnO2的最佳工艺流程。XRD测试表明薄膜的主要成分为SnO2,无杂质。测试表明薄膜在25℃下对50 ppm H2S气体灵敏度可达97,无需热清洗电压变化值可以恢复90%以上。以Cu(CH3COO)2的乙醇溶液为前驱溶液利用气溶胶化学气相沉积方法实现了CuO掺杂改性。研究了掺杂方式、沉积时间、退火温度对薄膜气敏性能的影响。优化的掺杂工艺流程。SEM分析表明经过掺杂后的薄膜为多孔状薄膜,粒径为约为40 nm。经过掺杂后的薄膜在室温下对H2S气体的响应特性、恢复特性、稳定性都有很大改善。薄膜在25℃下对5 ppm和100 ppm的H2S气体灵敏度分别为3.7和928,室温下对100ppm H2S气体响应时间和恢复时间为100 s和130 s,无需加热清洗。最后,从缺陷化学的角度对薄膜的H2S气体的敏感机理进行了分析。