由于氮化铟在三族氮化物中具有较小的电子有效质量,这使得其在常温下具有很高的电子迁移率,高的饱和电子渡越速率和电子漂移速率。因此氮化铟是一种具有广泛应用前景的半导体材料,可被用于固态发光、光伏器件、高频发射器和高频探测器等。由于氮化铟的带隙与光纤通讯所用的红外波长相当,因此氮化铟作为一种红外发射材料,尤其受到人们的关注。由于量子尺寸效应,低维结构的氮化铟半导体表现出很多新颖的特性,引起了人们广泛的兴趣。本论文中,我们利用气固相反应的方法在氨气中对氧化铟的粉末进行氮化,得到了六方纤锌矿结构的氮化铟粉末,然后通过二次生长,得到了氮化铟的纳米线和纳米管。实验分为两个步骤:(1)在600摄氏度氨气氛下将氧化铟粉末氮化四小时,得到呈黑色的氮化铟粉末;(2)将前面得到的氮化铟粉末在650摄氏度氨气氛下退火两小时,得到了蓬松状的样品。由透射电镜和扫描电镜的观察发现经过在650摄氏度下的二次生长后样品从氮化铟纳米粒子变成了氮化铟纳米线和纳米管。样品的结构及光学特性用红外发光谱、能量色散谱、红外反射谱和X射线粉末衍射谱进行了表征。最后我们讨论了这种二次生长法的机理。