【摘 要】
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为了解决超大规模集成电路的特征线宽不断减小而导致的互连阻容耦合增大、信号传输延时、功耗增大等问题,多孔超低介电常数(超低k)的SiCOH材料应运而生,成为人们研究的焦点,其中通过引入孔隙来降低SiCOH薄膜密度成为降低介电常数的有效途径。但是过多孔隙的引入会导致材料的力学性能下降、吸湿性能与污染增强等问题。近年来人们正在探索将弱极化键和孔隙相结合,在较低孔隙率的条件下获得性能优异的SiCOH低k薄
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为了解决超大规模集成电路的特征线宽不断减小而导致的互连阻容耦合增大、信号传输延时、功耗增大等问题,多孔超低介电常数(超低k)的SiCOH材料应运而生,成为人们研究的焦点,其中通过引入孔隙来降低SiCOH薄膜密度成为降低介电常数的有效途径。但是过多孔隙的引入会导致材料的力学性能下降、吸湿性能与污染增强等问题。近年来人们正在探索将弱极化键和孔隙相结合,在较低孔隙率的条件下获得性能优异的SiCOH低k薄膜。由于薄膜的结构、性能与沉积薄膜时的放电等离子体中基团状态密切相关,因此对SiCOH低k薄膜沉积过程的
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