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基体沉积温度是离子镀工艺中影响薄膜性能和限制可镀基体范围的最重要参数之一。与传统的以直流负偏压为基础的电弧离子镀(direct current bias arc ion plating，DCAIP)相比，脉冲偏压电弧离子镀技术(pulsed-bias arc ion plating，PBAIP)不仅能够有效降低沉积温度，适合于具有较低的回火温度或应力释放温度点的基体材料；同时，在相同沉积温度下，PBAIP技术中利用脉冲偏压和占空比等电参数的优化组合可以改善薄膜性能。但是，目前对于PBAIP技术中沉积