随着物联网的快速发展,不同频率射频识别技术及应用出现了相互交融的迹象,需要设计兼容多协议的RFID标签芯片以满足不同领域的需求。本论文基于SMIC 0.18μm的CMOS工艺,对兼容ISO/IEC 15693和ISO/IEC 18000-6协议的双频段RFID标签芯片模拟前端电路进行了设计研究。主要研究内容及结果如下：(1)设计了双频段RFID标签芯片前端模拟电路系统结构,并搭建了高频和超高频天线模型与模拟前端设计仿真环境。(2)基于SMIC 0.18μm的CMOS工艺,对进行了双频RFID模拟前端电路进行了优化设计及流片,包括全交叉栅耦合电路、电荷泵整流、限压模块、LDO稳压、负载波调制及反向散射电路、双模ASK解调、时钟恢复产生及复位电路等。在此过程中,采用模块复用有效地减小了芯片面积,通过模块电源管理减小无效能量损耗。(3)搭建了高频RFID测试平台,并对其主要功能进行了测试验证。结果表明,本设计可满足高频RFID标签芯片的工作需求。本论文的研究,可为全集成双频段RFID标签芯片的设计实现提供参考。