【摘 要】
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有源矩阵显示向大容量、高清晰度、彩色化和视频显示发展趋势,对有源显示元件的性能提出了更高要求.一方面为提高开口率,要求有源元件的尺寸更小,同时由于像素密度的增加,单
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【出 处】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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有源矩阵显示向大容量、高清晰度、彩色化和视频显示发展趋势,对有源显示元件的性能提出了更高要求.一方面为提高开口率,要求有源元件的尺寸更小,同时由于像素密度的增加,单元像素的充电时间更短,要求提高有源元件的充电能力.另一方面,为解决高密度引线的困难,要求显示阵列能与逻辑驱动电路集成一体化.这些都需要引入高性能的多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFT).但是P-Si材料存在诸如制备温度较高1000℃,传统高温多晶硅制备技术无法应用到有源显示器件上.另外P-Si TFT还存在关态漏电流较大的问题.本论文针对上述问题采用准分子激光退火方法制备低温多晶硅薄膜,用XRD、SEM等分析手段研究了制备条件与P-Si薄膜形态的关系.从优化液晶显示器件的目的出发,研究Al金属电极阳极氧化方法获得的金属氧化物介质层性质与制备条件关系.本论文针对P-Si TFT关态漏电流较大的问题,引入源漏轻掺杂结构.从半导体理论分析LDD结构的物理机制,并根据同型结模型,模拟源漏轻掺杂多晶硅薄膜晶体管(LDD P-Si TFT)的静态工作特性.同时还考虑热电子效应对漏极电流模拟结果的影响.最后,综合模拟采用源漏轻掺杂结构的P-Si TFT LCD的开口率与轻掺杂LDD区域的长度、掺杂浓度的关系.模拟研究LDD P-Si TFT LCD在不同屏幕对角尺寸、不同分辨率的具体应用效果.获得较高的液晶像素开口率.为P-Si TFT或LDD P-Si TFT驱动有源矩阵显示器件的优化设计提出了新的技术思想.
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