【摘 要】
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铁电体薄膜被作为在光波导、光电子、微型机械、传感器以及下一代存储芯片的冼选材料而被广泛地研究和开发利用.在研究中,使用射频磁控溅射系统和Ti、Pb金属组合靶以及O作为
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铁电体薄膜被作为在光波导、光电子、微型机械、传感器以及下一代存储芯片的冼选材料而被广泛地研究和开发利用.在研究中,使用射频磁控溅射系统和Ti、Pb金属组合靶以及O<,2>作为反应气体的方式,直接沉积出了具有钙钛太结构的PbTiO<,3>薄膜.研究中针对溅射制备PT毓薄膜时Pb损失现象,经过分析,提出了Pb的散失主要发生在薄膜降温过程中.采用薄制备后在一定压强的氧气中降温的方式,结果表明对薄膜中铅组分的损失具有一定的抑制作用.研究中发现,由于热膨胀系数不同和在相变时薄膜结构的变化,使薄膜的内部以及薄膜与衬底之间存在明显的应力作用.经过分析不同衬底温度下制备出的PT薄膜的结果,得出制备顺电相的PT薄膜比较形成好的取向结构,而且在具有较好结构的同进对薄膜中组分等参量的控制也比较稳定.研究发现在非晶白宝石衬底上可以生长出具有较好[111]取向和较好光学特性的PT薄膜.
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