深槽Ni(Pt)Si/Si肖特基二极管反向I-V特性研究

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该论文以研制一种新型结构的肖特基二极管,即深槽镍硅化物/硅肖特基二极管为内容,重点研究了提高镍硅化物的热稳定性和提高肖特基二极管的击穿电压的问题.对镍硅化物薄膜的研究集中在Ti Cap、Ni(Pt)夹层和掺Zr对镍硅化物的热稳定性的影响上面.利用深槽结构可以明显地提高肖特基二极管的反向击穿电压.实验表明生长牺牲氧化层和选取合适的退火方式可以有效地消除深槽的缺陷,为减小肖特基二极管的漏电流提供了可能.最后该文给出了采用Ti Cap/Ni/Si、Ni/Pt/Ni/Si形成的不同结构的镍硅化物/硅肖特基二极管的反向直流特性,包括简单结、保护环和深槽结构.实验证明和保护环结构相比,深槽肖特基二极管的击穿电压有很大的提高,并且在相同的电压下深槽结构的器件漏电流与保护环结构相当.
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