【摘 要】
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用常规电子陶瓷工艺制备了五种配方的(l-x-y)Pb(ZnNb)O3-x PbZrO-yPbTiO(PZN-PZ-PT)系陶瓷,确定了准同晶相界组成为x/y37/33,测量了样品的压电性能,介电性能、铁电性能、谐振
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用常规电子陶瓷工艺制备了五种配方的(l-x-y)Pb(Zn<,>Nb<,>)O3-x PbZrO<,3>-yPbTiO<,3>(PZN-PZ-PT)系陶瓷,确定了准同晶相界组成为x/y37/33,测量了样品的压电性能,介电性能、铁电性能、谐振特性.研究了相界附近不同Zr/Ti比样品的介电温度特性.发现四方相区的样品存在自发的正常铁电体一弛豫铁电体转变,升温时的相变过程为四方铁电相--弛豫相--顺电相;相界及偏菱方相区样品的介电--温度曲线具有典型的弛散性相变特征,弥散程度随着Zr/Ti比的增加明显增加.相界向富Zr区弯曲.适当延长保温时间,可实现中温(1100℃-1140℃)烧结,d<,33>可达560×10<'-12>C/N.研究了不同浆料的流变特性,选择PZN-PZ-PT粉体重量百分比70wt﹪浆料为实验中所用配方.从理论和实验上研究了浆料对振荡剪切的响应,首次得到应力应变椭圆.通过适当流延工艺,在1130℃烧结时得到平整、晶粒发育完好、结构致密的PZN-PZ-PT陶瓷膜片.成功的制备了以Ag/Pd(70/30)为内电极独石结构PZN-PZ-PT压电多层微位移器件,器件的陶瓷层与内电极层结合良好,未观察到分层现象,内电极尖端无微裂纹.未观测到Ag和Pd扩散到PZN-PZ-PT陶瓷层中.研究了器件的静态和动态位移响应.利用有限元数值模拟和数学模拟和数学推导两种方法研究了压电多层器件的应力分布.利用有限元方法数值计算了器件的振动模式及频率,计算结果与测量结果相符合.
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