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本文以SnO_2为基质,进行Ni、Nb两种杂质的分别掺杂和共同掺杂,采用溶胶-凝胶法和旋涂技术制备出其薄膜样品。利用XRD、SEM、XPS、FTIR、四探针电阻仪和分光光度计等仪器对薄膜样品进行表征。结果表明:煅烧温度500℃,得到结晶良好的四方金红石型SnO_2:Ni复合薄膜、SnO_2:Nb复合薄膜以及SnO_2:Ni,Nb透明导电薄膜。薄膜中晶粒均匀的分布,膜表层十分平整。Ni2+、Nb5+以替代原子的方式进入SnO_2晶胞,Ni2+掺杂量为6%的SnO_2:Ni复合薄膜具有较好的紫外吸收率,