室温下多孔硅发射可见光的发现为硅基集成光电子打开了大门。但是，多孔硅的发光峰很宽，这对它在光电子方面的潜在应用十分不利。多孔硅微腔是改善其发光特性的一条有效途径，通过微腔限模作用，多孔硅的宽发射峰变窄。多孔硅微腔通常是用P⁺型单晶硅片制备的，它的发光外量子效率很低(～10^-2％)，在本文中，我们采用电化学脉冲腐蚀方法，并在电解液中加入甘油，增强其粘度，在P型单晶硅衬底（电阻率1～20 Ω.cm）上成功地制备出高质量的多孔硅微腔。 8-羟基喹啉铝（Alq₃）是一种重要的有机电致发光材料，它的发光峰也很宽，这限制了它在平面显示等方面的应用。为了窄化Alq₃的发光峰，我们将其填入多孔硅微腔中，并研究了复合膜的光学特性。 第一章是多孔硅微腔的概述部分。主要讲述了多孔硅微腔的发光特性、结构、制备过程。 第二章介绍了样品制备装置和测试仪器。 第三章是关于多孔硅微腔制备的研究及老化对多孔硅微腔发光的影响。主要讨论了三个方面。一、用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔，优化了实验参数。二、利用脉冲腐蚀法，并且用甘油部分取代腐蚀液中的乙醇，来增加电解液粘度，成功地在P型单晶硅片上制备出高质量的多孔硅微腔。半高宽窄化到5.5nm，这个指标与用P⁺型单晶硅片制备的多孔硅微腔样品接近，但其发光外量子效率大大提高。如果采用普通的直流腐蚀法，在电解液中加入甘油的比例不能太大，否则反应生成的氢气泡不易及时排出，造成腐蚀不均匀。三、研究了老化对多孔硅微腔的影响。老化使其发光增强，发光峰半高宽增大，峰位蓝移。为了使发光稳定，我们采用电化学氧化对新制备的多孔硅微腔进行处理，处理后发光的稳定性有了明显提高。 第四章研究了多孔硅及其微腔镶嵌Alq₃的荧光光谱。多孔硅镶嵌Alq₃膜的荧光光谱与Alq₃在乙醇溶液中的光谱类似，并且光谱的线型更加对曲阜师范大学硕士学位论文第U页称。随着嵌入的Alq3分子数增多，发光增强，峰位红移，但是聚集程度太大时，有荧光碎灭现象发生。把Alq3镶嵌在多孔硅微腔中，由于微腔的限模作用，Aiq3的发光峰明显窄化。从无微腔下的85nm下降到有微腔时的15nln，而且发光强度增强了一个数量级。多孔硅微腔有机镶嵌膜有可能成为进一步发展Alq3在电致发光方面应用的一条新途径。