ZnO薄膜及ZnO/MgO多量子阱的制备与表征

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ZnO是一种新型的宽带隙半导体材料,具有纤锌矿晶体结构,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,理论上可以实现室温下受激发射,被认为是未来紫外光发射器件的理想材料。同时ZnO具有良好的透明导电性、压电性、气敏性和压敏性,因此具有广泛应用前景,如声表面波器件、透明电极、紫外光探测器、压电器件、压敏器件和气敏传感器等。自从1997年Tang等人报导了ZnO薄膜的近紫外受激发射现象以来,ZnO再次成为当今半导体材料研究领域的热点。本文采用射频磁控溅射的方法制备了ZnO薄膜及ZnO
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CO2作为一种主要的温室气体,其产生的“温室效应”日益严重地威胁着人类的生产和生活。实现对CO2的减排、分离及回收利用,已成为人类共同关心的问题。炭膜是近二十多年来迅速发展起来的一种新型多孔炭基膜材料,它可通过“分子筛分”机理对分子直径相近的小分子气体进行分离,并具有较高的气体渗透能力和分离选择性,可实现C02/CH4,C02/N2等体系中C02的有效分离,然而,目前制备的炭膜其C02气体的渗透通
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