反应磁控溅射法制备WO_3薄膜及其电致变色性能研究

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WO3薄膜具有优良的电致变色特性,被认为是最有发展前景的电致变色材料之一,在大屏幕显示、“智能窗”、挡风玻璃等方面有着非常广阔的应用前景。本文选择WO3作为研究对象,采用反应磁控溅射技术制备WO3薄膜,探讨了工艺参数对薄膜的沉积速率、微观结构、电致变色性能的影响。以纯金属钨和金属钛为靶材,在ITO玻璃基片上制备得到非晶WO3薄膜和TiO2表面修饰的非晶WO3薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见光分光光度计、电化学测试系统等分析薄膜的晶体结构、表面形貌、成分
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随着超大规模集成电路中器件和互连线尺寸的不断减小,厚度薄且具有良好的阻挡性能及电学性能的扩散阻挡层的制备变得越来越具有挑战性,必须要引进新材料和新工艺来解决这一问题,因此向Cu膜中直接加入少量元素来制备Cu种籽层的无扩散阻挡层结构成为了该领域的重要研究内容。本论文采用磁控溅射在单晶Si(100)基体上溅射沉积Cu(C)和Cu(Ti)合金薄膜,研究了小原子C和大原子Ti的加入对Cu膜的微结构和性能的
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