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六角磁铅石钡铁氧体(BaM)具有良好的化学稳定性、高矫顽力、高饱和磁化强度、高的垂直磁晶各向异性、高频时具有高电阻率和介电常数,它在单片微波集成电路(MMIC)、高密度垂直磁记录介质等方面都有着广泛的应用。未来微波集成器件的发展在保证高性能的同时应兼顾自偏场、重量轻、厚度薄的要求,因而近十年来BaM薄膜得到了广泛的研究。为了将铁氧体微波器件集成在微波电路中,BaM铁氧体薄膜要有低的微波损耗,必须制备结晶性良好、高度c轴取向的BaM薄膜或厚膜。本文采用射频磁控溅射方法在硅单晶基片上制备c轴取向的BaM