【摘 要】
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铁电场效应晶体管(FFET)存储器能够实现非破坏性读出，是一种比较理想的存储方式，因此从一开始就受到人们极大的关注。但是其漏电流过大和保持力差成为制约其实用化的最大障碍，攻克这一难题的关键之一就在于铁电薄膜质量的进一步提高，尽量减少或者避免F-S界面的互扩散，也就是说铁电薄膜的制备工艺和各项铁电性能必须与半导体集成工艺兼容。本文系统地对FFET存储器用铁电薄膜的制备、结构和性能进行了研究。主要内容
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铁电场效应晶体管(FFET)存储器能够实现非破坏性读出，是一种比较理想的存储方式，因此从一开始就受到人们极大的关注。但是其漏电流过大和保持力差成为制约其实用化的最大障碍，攻克这一难题的关键之一就在于铁电薄膜质量的进一步提高，尽量减少或者避免F-S界面的互扩散，也就是说铁电薄膜的制备工艺和各项铁电性能必须与半导体集成工艺兼容。本文系统地对FFET存储器用铁电薄膜的制备、结构和性能进行了研究。主要内容如下： (1)选择合适的离子源和溶剂，改善制备工艺参数，制备出满足Sol-G
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