本文基于SMIC0.18μm2P5M eFlash工艺设计实现了双界面智能卡芯片的模拟前端电路,该智能卡支持ISO14443A非接触模式和IS07816接触模式。　　 本文重点研究了非接触模式ISO14443A标准下模拟前端电路的设计,本设计采用系统的设计方法,首先分析协议及系统要求,提出模拟前端电路的设计指标:然后明确完成该指标需要的模拟电路模块,给出各子模块的设计指标,并进行子模块的设计、仿真验证；然后从系统上对电路进行仿真验证,调整电路的参数,进行系统版图的设计,依据后仿结果反复优化电路参数,提交最终的版图设计方案；最后在芯片代工厂流片,进行芯片的测试验证,给出相应的测试结果,优化电路的设计。　　 本文同时对接触模式IS07816标准下模拟前端电路进行了研究,主要包括1.8V LDO(Low Dropout Regulator低压降稳压器)的设计。并对模式选择电路进行了研究。接触式部分电路和模式选择电路与ISO14443A标准下非接触式电路的设计相对独立。　　 本文的创新之处在于:(1)改进了传统的电源方案。传统智能卡普遍采用限幅器和LDO产生电源,但是传统结构的LDO在复杂的工作环境中稳定性无法保证,本设计采用新型的带有工艺和温度补偿的限幅器取代传统限幅器和LDO产生电源。该新型限幅器表现出良好的可靠性。(2)采用外置参考电压的解调电路。改进了传统解调电路易受工艺、外界环境影响的弊端,为将来设计数字动态调节的解调电路预留了接口。同时,在版图的设计中预留了FIB(focus ion beam聚焦离子束)和metal fix(金属修复)的手段,以应对芯片量产中出现的工艺偏差等不确定因素。该芯片于2010年1月在中芯国际(SMIC)0.18μm eFlash工艺下流片验证,测试结果良好,并于同年6月份量产。　　 本文的研究成果对于低功耗的系统级设计,以及量产芯片版图设计,特别是RFID系统电源产生电路设计,均有很好的参考价值。