日盲型ZnO真空紫外探测器的研究以掺Al的ZnO阴极制备为基础,综合阴极激活工艺和器件的整体结构设计进行探讨。研究工作涉及紫外探测技术、场发射理论、能带调控理论、磁控溅射工艺以及成像参数等内容。本文探索了紫外探测器理论基础和关键实现工艺,结合我国紫外真空器件制造的产业基础和技术平台,开发工作于200～280nm的日盲型ZnO真空成像探测器,推动我国在该领域的发展。完成的主要工作如下：1.研究了ZnO薄膜的场发射性能,探索了掺Al对ZnO能带的调控机制,通过理论模拟证实了ZnO的电子发射具有典型的负电子亲和势(NEA)特征,通过掺Al能够有有效的展宽ZnO的光学禁带宽度,为探测器的实现提供了理论支持。2.采用磁控溅射法制备不同工艺参数的AZO薄膜,通过X射线衍射法分析得到了适当的工艺参数,通过透射谱分析证实了提高掺Al浓度能实现薄膜的吸收边蓝移,从晶体结构和禁带宽度的综合要求确完了Al掺杂浓度。3.结合国内外阴极激活工艺,针对紫外探测器阴极激活选取合适的激活材料,确定光电阴极的激活工艺,通过光/暗条件下的电流检测对比证实了激活能够有效的提高光阴极对光照的灵敏度。4.从工艺和材料的角度出发,确定了紫外探测器的整体结构设计和具体实现方法,选定了合适的参数作为探测器的性能评价指标,并搭建了紫外测试平台,对成管器件进行相关的参数测定和性能分析。