自从石墨烯及过渡族金属硫化物发现以来,其独特的结构使其具有优良的光学、电学和热学特性,激发了学界的研究热潮,受到了研究人员的广泛关注。半导体异质结是现代电子和光电子产业的基石。由于过渡族金属硫化物丰富的物理特性,可以通过改变堆垛的材料来调控异质结的物理特性,因此近些年来过渡族金属硫化物异质结的研究也非常之火热。但是目前激子在异质结界面处的转移机制还没有一个明确的定论,因此研究异质结的光学性质具有重要的科学意义和应用前景。本文利用拉曼、荧光和吸收光谱等光学方法,研究了化学气相沉积法生长的单层二硫化钨（WS₂）以及二硫化钼-二硫化钨（MoS₂-WS₂）侧向异质结的光学性质。主要研究内容包括:1、利用光学方法研究单层的WS₂的光学性质。利用化学气相沉积法成功制备了尺寸在30μm单层的WS₂,对我们生长的样品进行了荧光光谱成像表征,我们发现,CVD生长的单层WS₂在室温下具有异常的荧光现象,即边缘区域荧光强度高但荧光峰位红移,中心区域荧光强度低但荧光峰位蓝移。利用拉曼成像分析了局部应力和电子浓度对样品荧光强度造成的影响,我们发现局部应力和电子浓度是造成这种异常荧光现象的原因。此外通过吸收光谱成像的方法,系统的研究了斯托克斯位移和表面电子浓度的关系。2、研究MoS₂-WS₂侧向异质结的光学性质。改进生长工艺,利用廉价的金属钼片为原材料,利用化学气相沉积法成功制备出了MoS₂-WS₂侧向异质结,通过拉曼光谱成像的分析,我们发现在异质结界面处MoS₂的振动模式有微小的位移,证明异质结界面处存在微小应力,除此之外的MoS₂区域其E¹_2g的拉曼位移并无变化,说明其他区域MoS₂并没有受到应力的影响。在室温下的荧光光谱表征中,MoS₂在靠近异质结界面处其荧光强度猝灭,并且随着逐渐远离异质结界面,MoS₂的荧光强度逐渐增强,到一定距离后荧光不再增强,这种异常的荧光强度变化趋势是由于异质结的电荷分离效应。我们进一步的利用空间分辨吸收光谱对异质结进行了表征,发现MoS₂吸收谱的A激子吸收峰线宽在异质结界面处展宽,并分析了其展宽的机理。3、研究横向MoS₂-WS₂异质结的电学性质。利用开尔文电势显微镜研究了CVD生长的横向MoS₂/WS₂异质结表面电势分布,测量了耗尽层的宽度和内建电场强度。