自旋极化电子的输运研究

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该文从薄膜的制备开始,利用半导体的加工技术和弱信号测量系统进行了以下几方面的研究.分别用磁控溅射设备和电子枪蒸发镀膜设备制备出Co/Cu/Fe、Cc/Cu/Co、Co/Cu/NiFe、Cr/Co/Cu/Fe和Ta/Co/Aa/Fe等系列薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)研究了薄膜表面的形貌.用原子力显微镜(AFM)研究了薄膜表面的粗糙度.在液氮温度,利用弱信号测量系统(利用182纳伏表和220恒流源),研究了三明治结构Co/Cu/Fe磁电子材料的自旋极化输运规律.得到自旋三级管集电极的输出电压随外磁场变化关系,首次测量得到全金属自旋三级管的I-V曲线.通过对降温曲线的测量以及发射结和集电结电压的测量,首次发现非对称磁性结构全金属自旋三极管内,在基极和发射极之间是呈类似金属特性,而在基极和集电极之间是呈类似半导体特性.研究了自旋三级管,不同中间层厚度对输出电压的影响.
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