【摘 要】
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该文提出利用共掺杂方法(即在金刚石薄膜中掺入两种杂质元素)来制备低电阻率的n型金刚石薄膜,并从理论和实验两个方面对其进行了系统的研究.理论上,利用分子动力学的计算机模
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该文提出利用共掺杂方法(即在金刚石薄膜中掺入两种杂质元素)来制备低电阻率的n型金刚石薄膜,并从理论和实验两个方面对其进行了系统的研究.理论上,利用分子动力学的计算机模拟研究了金刚石掺杂中涉及的一些微观问题,为实验研究提供了指导.实验上,利用离子注入方法和微波VCD方法在金刚石中掺入不同的杂质(包括硼硫、硼磷和硫磷杂质对及氧离子),制备得到了电阻率较低的n型金刚石薄膜;研究了不同杂质掺杂后薄膜的电学性能和微结构特性,进而探讨了金刚石掺杂中的微观机制,获得了有原创性的结果.
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