CdI能谱的多通道量子亏损理论(MQDT)研究

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在人类已经步入知识经济、信息时代的今天,材料科学已成为现代科学技术中的发展最快的学科之一,材料现代分析方法作为研究材料科学的一种手段,其作用和意义尤为重要。原子光谱分析法是众多的材料现代分析方法中最为常见和实用的方法之一。本文首先介绍了材料现代分析中的基本方法,对原子光谱理论中的多通道量子亏损理论进行了详细地阐述,并利用此理论对镉原子现有的实验能级及寿命进行了分析,主要对镉原子J=l偶宇称和J=2偶宇称的MQDT模型进行了分析,并利用MQDT波函数给出了计算高激发态寿命的一般方法,通过理论计算得到了以下两方面的结果: 1.对镉原子J=1偶宇称的能谱采用一阀两通道模型,通过拟合实验光谱数据得到了MQDT参数;计算得到了5sns1/2[1/2]1(7≤n≤36)系列共30个能级和寿命,预言了该系列20个Rydberg态的新的能级位置和28个新的能级寿命,拟合出了它们的寿命计算公式:τ=0.8980vn2.755;5snd1/2[3/2]1(6≤n≤35)系列共30个能级和寿命,预言了此系列18个Rydberg态的新的能级位置和26个新的能级寿命,拟合出了它们的寿命计算公式:5snd1/2[3/2]l系列为τ=0.3628vn2.829;给出了计算得到的CdⅠ偶宇称J=1两通道的混合系数,分析了此两通道的干扰情况。 2.对镉原子J=2偶宇称的能谱同样采用一阀两通道模型,通过拟合实验光谱数据得到了MQDT参数;计算得到了5snd1/2[5/2]2(6≤n≤35)共30个能级和寿命,预言了该系列16个Rydberg态的新的能级位置和26个新的能级寿命,拟合出了它们的寿命计算公式:τ=0.3963vn2.784;同时也计算出了5snd1/2[3/2]2(6≤n≤35)系列共30个能级的值;给出了计算得到的CdⅠ偶宇称J=2两通道的混合系数,分析了此两通道的干扰情况。 本课题研究所得主要成果如下:首次用多通道量子亏损理论对镉原子J=1、2偶宇称的能谱进行了理论分析与计算,得到与已知的光谱实验数据符合得非常好的理论计算值,预言了共计160余个实验数据中并未给出的能级和寿命,这些数据对于从事镉原子光谱实验研究的工作者而言,具有重要的理论指导意义。
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