4d过渡金属氧化物材料是强关联电子材料之一，具有相近的晶体场能、电子库伦相互作用能，洪特规则能以及电子带宽等，电荷、自旋、晶格及轨道之间的相互作用，使其表现出丰富的物理性质。其中SrRuO3(SRO)薄膜具有优越的导电性，与铁电和压电材料有很好的晶格匹配性，可以作为一种优良的底电极材料使用，受到科研人员的广泛关注。本论文采用化学溶液法在LaAlO3(LAO)单晶衬底上制备SRO薄膜，研究不同的退火温度和取向对SRO薄膜的微结构和性能的影响，并对其电输运性质和磁性进行了一定的探索和研究。　　首先，不同的退火温度对薄膜的生长起着至关重要的作用，为了得到化学溶液法制备SRO薄膜的最佳工艺，分别在600、700、800、900℃的退火温度下制备了SRO薄膜，并对其微结构和电学性能进行了相关的测试。对测试结果分析对比后，得到了700℃为化学溶液法制备SRO薄膜最佳退火温度的结论，为后续制备不同取向的SRO薄膜奠定了基础。　　在获得最佳退火温度的基础上，在不同取向的LAO单晶衬底上制备出了不同取向的SRO外延薄膜，并对其电学性质和磁学性质进行了研究。所有的SRO薄膜在室温下都表现出金属导电性，其电阻率达到了10-4Ω·cm。SRO薄膜在150K左右发生顺磁铁磁性转变。在50K以下发生金属绝缘体转变。(110)SRO外延薄膜的电阻率最小，我们认为是由于薄膜的各向异性、外观形貌、晶界、孔洞影响了载流子的迁移率。对其磁学性质进行了测试分析，由于薄膜中存在应力，居里温度Tc受到抑制。这是因为应力改变了原子之间的键长和键角，导致自旋与自旋之间的相互作用降低，从而降低了Tc。(110)SRO外延薄膜具有最大的饱和磁化强度和矫顽场，三种薄膜的饱和磁化强度和矫顽场都比理论值要小，这可能与薄膜的磁晶各向异性和应力有关。