多层陶瓷电容器（MLCC）是电子信息技术的重要基础器件。由于电子系统的发展要求，MLCC向宽温、大容量和低成本方向发展。以BaTiO₃为基铁电陶瓷材料是MLCC的重要材料。本文从分析钛酸钡的晶体结构入手，以提高温度稳定性、提高介电常数、降低烧结温度为目标，对温度稳定型中温烧结瓷料进行研究。并运用XRD、SEM等现代微观分析手段，对其内在机理进行研究。1、分别讨论了Nb₂O₅、MgO、CoCO₃、CeO₂以及Bi₂O₃等对钛酸钡系统的介电性能的影响，并成功制备处所需的X8R陶瓷材料，性能参数如下：室温介电常数ε25oC>2500,介电损耗tanδ<2.0%,-55oC到150oC范围内最大电容量变化率不超过±15%2、Pb(Ti_0.55Sn_0.45)O₃掺杂能有效提高BaTiO₃基陶瓷居里点到150℃以上。从结构上看，Pb²⁺离子的引入进行A位取代，Sn²⁺离子的引入进行B位取代，引起成分起伏相变扩散，造成居里点向高温移动。通过TEM、XRD分析可知，Pb(Ti_0.55Sn_0.45)O₃与BaTiO₃可形成部分固溶体并形成核－壳结构。核－壳两相相互制约及叠加作用使钛酸钡陶瓷呈现温度稳定性。当在BaTiO₃基陶瓷中添加2wt%Pb(Ti_0.55Sn_0.45)O₃时，样品呈现很好的介电温度特性：ε25oC>1750,介电损耗tanδ<2.0%,-55oC到150oC范围内最大电容量变化率不超过±10%，满足EIAX9R标准。3、球磨中，磨球直径小，球磨时间长，最终粉体粒度会变小而比表面积变大，这能有效地抑制在烧结时BaTiO₃晶粒生长并产生细晶效应。掺杂元素对BaTiO₃颗粒进行均匀的包裹形成更多的壳-芯晶粒，即铁电相BaTiO₃晶核的比例减小，而顺电相晶壳的体积比增大，使得BaTiO₃基陶瓷居里峰压平展宽，介电常数温度变化率趋于平缓。烧结温度对晶粒的生长、空洞的密度、杂质离子的扩散分布、晶相的组成等有着重要的作用，并对介质陶瓷最终的介电性能产生重要影响。4、将钛酸铋钠(Bi_0.5Na_0.5TiO₃，BNT)引入BaTiO₃陶瓷中以取代上述配方中Pb(Ti_0.55Sn_0.45)O₃的使用，BNT与BaTiO₃合成BTBNT，BTBNT具有更高的居里温度（170℃）。再通过Nb₂O₅调节BTBNT的介电温度变化率，Nb⁵⁺能够占据Ti⁴⁺的位置，并形成富Ti的非铁电相区。而这些第二相的存在使得BTBNT陶瓷的居里峰发生扩散，使得介电温度曲线更加平坦。在合适的配方时，可获得无铅化的X9R陶瓷：ε≈1660、tanδ=0.0194、ΔC/C25℃≤±15%。最后又研究了烧结温度和球磨时间对BTBNT-基陶瓷介电性能的影响。