SiC是继一、二代半导体材料之后迅速发展起来的第三代宽禁带半导体材料,具有高热导率、高饱和电子漂移速率和宽禁带等特点,是制作高温、高频及抗辐射功率器件的理想材料。欧姆接触是SiC器件的重要组成部分,其性能的好坏对SiC器件在高温、高频、大功率等领域中能否发挥优势起着决定性的作用。欧姆接触的性能除了受衬底掺杂水平和金属材料的影响,合金化处理过程中对工艺参数的掌握也起着决定性的作用。本文主要针对退火温度和退火时间对欧姆接触性能的影响进行实验研究,研究内容和结果如下:(1)首先选定金属Ni/Pt和4H-SiC作为欧姆接触的制备材料并设计了具体的工艺流程,重点研究退火温度和退火时间对欧姆接触性能的影响。(2)通过矩形传输线测试法对不同退火温度和退火时间下得到的样品的比接触电阻进行计算,发现在退火温度为1025℃、退火时间为140s的工艺条件下得到的欧姆接触的比接触电阻最小,为4.0923×10-6?·cm2。(3)采用光学显微镜(Optical Microscopy)对不同合金化处理条件下得到的样品电极的表面形貌进行了观察,同时通过X射线衍射分析仪(XRD)对其金-半接触界面的微观物相变化进行了测试。结果表明接触界面物相的种类和强度随退火温度的变化而变化。当退火温度为1025℃时,在金-半接触界面检测到了NiSi相和C相,说明在此温度下Ni和SiC发生反应生成了有利于势垒降低和对C空位的产生具有催化作用的NiSi。最后通过老化实验对退火温度为1025℃、退火时间为100s和140s工艺条件下得到的样品的欧姆接触热稳定性进行了测试,发现退火时间为140s得到的欧姆接触的比接触电阻随高温存储时间的变化幅度不大,即热稳定性良好。