共轭齐聚物具有结构准确、批次重复性好、易提纯等优点,给体-受体（donor-acceptor,D-A）结构的引入同时还带来能级结构易调控和分子间作用力强的特点,但是目前只有少数几种载流子迁移率超过1 cm²V^-1s^-1的溶液加工型共轭齐聚物的报道,可能的原因是共轭齐聚物薄膜中存在的大量晶界限制了载流子在晶区间的传输。针对这一问题,本论文提出通过混入少量聚合物,制备共轭齐聚物/聚合物共混薄膜,改善薄膜质量,从而提高共轭齐聚物有机薄膜晶体管（OTFT）的性能。选取三种基于吡咯并吡咯二酮（DPP）的D-A型共轭齐聚物,分别与惰性聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、共轭聚合物聚（吡咯并吡咯二酮-联噻吩,PDPPBT）和刚-柔（rod-coil）型聚合物P1共混,详细研究了共混薄膜的形貌、OTFT性能与分子结构、共混比例的关系。主要的研究结果如下:（1）合成了三类刚性片段是DPP基共轭齐聚物的rod-coil聚合物P1、P2和P3,研究了这类聚合物的凝聚态结构、薄膜形貌和载流子传输性能。聚合物P1具有最佳的OTFT性能,在200oC退火后空穴迁移率为2.4x10^-3 cm²V^-1s^-1。（2）研究了三个以DPP为受体单元、噻吩稠环单元为给体单元的D-A型共轭齐聚物O1、O2和O3的OTFT性能。它们均为p型半导体材料,迁移率随着给体单元共轭长度的增加而提高。其中,齐聚物O3的空穴迁移率最高,达到0.20 cm²V^-1s^-1。但同时发现齐聚物薄膜的晶区连续性较差,晶界明显,这可能是限制载流子传输的主要原因。（3）研究了齐聚物与少量聚合物P1、PMMA和PDPPBT共混后的薄膜形貌与OTFT性能。发现加入P1没有提高齐聚物的空穴迁移率,而加入PMMA和PDPPBT后OTFT性能均有提高。当在O3中加入1wt%PMMA时,空穴迁移率提高到0.30 cm²V^-1s^-1;当加入5wt%PDPPBT时,O2和O3的空穴迁移率分别达到0.44 cm²V^-1s^-1和0.34 cm²V^-1s^-1。薄膜形貌研究表明,共混前后薄膜中分子的排列堆积方式和结晶性变化不大,载流子传输性能的提高主要得益于薄膜中晶区间的连续性变好及晶界数目的减少。