氧化物薄膜晶体管作为开关和驱动在有源矩阵液晶显示器(AMLCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中有着重要的应用。随着科技的发展和进步,平板显示器件对于薄膜晶体管各方面性能的要求也越来越高,由于不同有源层材料对薄膜晶体管的性能有着很大的影响,因此人们研究了大量不同材料的薄膜晶体管,包括非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、微晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管。传统的非晶硅薄膜晶体管虽然可以实现低温制备,但是迁移率低、光敏性强,受到很多的限制;多晶硅薄膜晶体管载流子迁移率有了很大的提升,但由于制备工艺复杂,成本太高,也不适合大规模的应用;有机物材料制成的薄膜晶体管制备成本低但也受到载流子迁移率低的限制;而氧化物薄膜晶体管不仅可以在室温下制备,且迁移率高、稳定性好、透明度好,可以实现大规模生产,因此成为国内外研究的热点。本文的实验部分首先制备了绝缘层为SiO2,半导体层为In2O3的薄膜晶体管,探究了半导体层厚度对器件性质的影响。然后,针对传统SiO2绝缘材料受到的限制,用高k材料Al2O3来替代其作为绝缘层,使用溶胶凝胶技术制备了氧化铝薄膜,研究了不同厚度和退火条件对薄膜性质的影响,得出最优的实验条件—匀胶3次退火温度为550oC。以此条件制备的薄膜作为绝缘层,以磁控溅射的ITZO为半导体层制备了底栅顶接触结构的薄膜晶体管,测试结果显示该TFT操作电压低于5V、场效应迁移率23.7cm2/Vs、阈值电压为1.5 V、亚阈值摆幅0.22 V/decade,开关比达到106。本研究表明了溶胶凝胶技术在TFT制备中的可用性,也为以后在透明电子和柔性器件上的应用打下了基础。