压电效应自1880年发现以来,便受到了科学界广泛的关注,同时其理论研究和在各领域,如医学,环境等的应用取得了很大的进展。二维材料(2D)相对于三维材料(3D)有着优异的机械性能和柔韧性,另外,当一些非压电材料剥离至单层时,会出现压电效应,这些性质使得2D材料成为研究的热门材料。然而,随着实际应用需求进一步扩大,需要深入理解材料压电效应机理,同时拓展压电材料的应用面。传统实验如果在没有任何指导下进行的话,可能导致时间和财力上的浪费,同时当需要比较极端的条件时,实验是很难实现的。而近年来,随着越来越强大和廉价的超级计算的出现,原子模拟正迅速成为在纳米尺度测试材料的一种非常有吸引力和可靠的方法。本文主要以六方氮化硼(h-BN)为研究对象,使用分子动力学模拟(MD)的方法,研究了氮化硼纳米片(BNNS)的压电性能和影响因素。首先比较了不同的势函数下BNNS的压电性能和力学性能,给出了势函数选取遵循的基本原则,同时介绍了建立模型的方法和计算的流程。在我们的计算中,严格按照晶体库的参数进行模型的建立,同时对不同的研究对象选用不同的边界条件:对于无限大尺寸的研究对象选用周期性边界条件,而对于有限尺寸的研究对象使用非周期性边界条件。其次,本文计算了无限大尺寸和有限尺寸BNNS的压电系数,其中有限尺寸还包含为了对不同形状和尺寸的考虑。MD结果表明无限大尺寸BNNS压电系数的计算与第一性原理方法计算的结果能够很好地符合,说明所采用的MD方法计算模型的正确性;对于有限尺寸的BNNS,证明了压电系数与宏观几何形状有关却几乎不受尺寸的影响,其中矩形形状的BNNS不再属于6m2点群,而是属于单斜m点群,而六角形形状的BNNS依旧属于6m2点群;当宏观几何形状为任意时,所有压电张量分量通常是非零或者不同的。最后,将BNNS沉积在不同暴露晶面的硅(Si)基底上,计算了面外压电效应,研究了基底对BNNS压电性能的影响。计算结果表明面外压电效应强于面内压电效应;BNNS压电性能受到基底的影响,影响的主要原因是在BNNS和Si之间发生了电荷转移;转移的电荷总量与Si基底的厚度无关,与BNNS的尺寸成正比;对于同样尺寸的BNNS转移的电荷量与Si暴露面有关,沉积在不同暴露面时,转移的电荷量也是不同的。总之,本文详细研究BNNS的压电性能,以及影响压电性能的内在和外在因素,为今后的实验和2D压电材料的优化提供了指导。