ZnO是一种II-VI族直接带隙的宽禁带半导体材料，具有优异的光、电等物理性能，其在短波长发光器件、透明电极、薄膜晶体管、各种压电器件等领域都有着广阔的应用前景。本课题定位于在p型衬底上制备n型半导体薄膜，并构成氧化锌异质p-n结。本文采用溶胶-凝胶法，通过掺杂Al元素制备n型ZnO薄膜，使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、四探针测试仪等仪器对制得的掺杂ZnO薄膜样品进行了测试和分析，主要探究了掺杂量、预处理温度和退火温度对ZnO薄膜结构、表面形貌以及电学性能的影响。选择AlCl3作为掺杂源，对ZnO薄膜进行Al的掺杂，结果表明，Al的掺入有利于薄膜(002)方向的择优取向生长并促使了结晶度的提高。制备的Al掺杂ZnO薄膜厚度为300nm左右。在掺杂浓度为4%、预处理温度选取110℃、退火温度为550℃时薄膜性能最佳、具有较高的结晶度、电阻率达到0.0026Ω·cm、平面电阻为2300Ω/□。在电阻率分别为1Ω·cm和0.001Ω·cm的p型半导体Si衬底上使用溶剂-凝胶法制备掺铝氧化锌薄膜，在接触面构成n-ZnO/p-Si异质结，使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、四探针测试仪等仪器对制得的掺杂ZnO薄膜样品进行了测试和分析，发现衬底的不同对薄膜性能几乎无影响。在薄膜表面溅射Au原子制备电极，检测样品p-n特性。结果表明，两种衬底上制备的样品皆有良好的整流特性，正向开启电压都在0.7V附近，反向偏压时反偏电流极小，衬底为0.001Ω·cm的样品在45V时反向击穿，而衬底为1Ω·cm的样品在70V时才反向击穿，p-n特性相对更好。