随着MOS制造工艺的不断进步,晶体管的尺寸变得越来越小,SRAM存储单元电路对制造工艺的偏差越来越敏感,其性能也就越来越不稳定。由于低功耗的性能要求,低电源电压技术也被应用到SRAM单元电路设计中。然而,低的电源电压会导致SRAM存储单元电路的静态噪声余量(SNM)进一步的降低,也即稳定性更差。功耗的增大也是SRAM技术发展的一个难题。据ITRS(国际半导体技术发展路线图)预测,在嵌入式存储器当中,SRAM存储单元阵列将占到所有晶体管数目的一大半。由于SRAM单元数目的巨大以及漏电流(Leakage Power)的不断增大,SRAM单元阵列的功耗偏大问题也变得越来越突出。传统的SRAM存储单元采用的是六管的结构,其读操作采用的是直接存取机理。在读操作过程中,数据存储点通过存取晶体管直接与位线(Bit-line)相接,由于分压和外部噪声的影响,存储的数据很不稳定,也就是读操作的破坏。改良型的七管SRAM结构特别针对六管SRAM读操作破坏的问题,采用数据存储点与位线分离的方法,消除了电压分压以及外部噪声的问题,其稳定性得到显著提升。但是,由于只有一个存取NMOS管用于写操作,加上阈值电压损失的作用,其写操作的稳定性及速度不能达到要求。一种新型的八管SRAM结构被提出,其针对于七管SRAM的写操作的问题,在交叉耦合的反相器之间加入了一个PMOS晶体管。在数据保持和读操作过程中,PMOS是导通的,两个反相器组成一个锁存器(Latch)从而保持数据稳定。在写操作过程中,PMOS关断,保持数据稳定的锁存器被打断为串行相连的反相器,因此数据可以更容易的写进去,写操作能力增强。在八管SRAM结构中,所有的晶体管都采用了最小尺寸晶体管,其面积增加不多。多阈值电压技术也可以应用于SRAM结构,从而降低漏电流,同时改善读操作的性能。另外,单个位线运用于读写操作,使其读写操作的动态功耗得到明显降低。相对于六管SRAM结构,八管的SRAM具有更好的稳定性和较低的功耗。