【摘 要】
:
论文面向植物光控发育、光生物调节(Photobiomodulation,PBM)治疗以及视力健康应用,研究了Cr3+激活(Y0.75Gd0.25)3(Ga0.75Sc0.25)5O12荧光材料、β-Ga2O3荧光材料的合成、发光性能,封装了远红光LED荧光器件,并开展了初步的应用研究。本文取得的主要研究成果如下:(1)对(Y,Gd)3(Ga,Sc)5O12:Cr3+荧光粉的发光性能进行了深入的优化
论文部分内容阅读
论文面向植物光控发育、光生物调节(Photobiomodulation,PBM)治疗以及视力健康应用,研究了Cr3+激活(Y0.75Gd0.25)3(Ga0.75Sc0.25)5O12荧光材料、β-Ga2O3荧光材料的合成、发光性能,封装了远红光LED荧光器件,并开展了初步的应用研究。本文取得的主要研究成果如下:(1)对(Y,Gd)3(Ga,Sc)5O12:Cr3+荧光粉的发光性能进行了深入的优化。经过优化实验得到了在1400℃下烧结6h的(Y0.75Gd0.25)3[(Ga0.75Sc0.25)0.95Cr0.05]5O12荧光粉具有最强的730nm远红光发光,其在450nm蓝光激发下的发射光的半高宽为120nm,覆盖生物细胞吸收谱。该种荧光粉在150℃下发光强度维持了室温下发光强度的80%,且峰位置无明显变化,测量得到其内量子效率为44.90%,外量子效率为20.88%。使用(Y0.75Gd0.25)3[(Ga0.75Sc0.25)0.95Cr0.05]5O12:5%Cr3+荧光粉搭配蓝光芯片得到的远红光发光器件的光电转换效率最高可以达到30%。使用该荧光粉封装的器件对小白鼠进行照射可以明显修复其视网膜细胞。(2)使用固相烧结法得到了发光位于730nm,覆盖生物吸收谱的β-Ga2O3:C r3+远红光荧光粉。经优化得到在添加2 wt.%的NHF4F助熔剂并在1400℃经过5h烧结的β-(Ga0.98Cr0.02)2O3荧光粉具有最好的发光性能。所得荧光粉结晶性良好,晶粒尺寸在10μm左右,呈现完整清晰的层片堆叠的柱状晶,形状完整规则。测得其在180℃下发光强度仍能维持其室温发光强度的80%。使用经优化的β-(Ga0.98Cr0.02)2O3荧光粉搭配蓝光LED芯片封装的远红光器件在200mA直流电下的辐射通量可以达到10.0mW。
其他文献
直流电源系统是发电厂和变电站中保护、信号、通讯等回路的电源,其绕行回路长,分布支路多,经常会由于环境、人为、自然等因素,造成线路绝缘下降,进而引发继电保护装置误动作,甚至熔断器熔断或主回路跳闸等严重后果。为了保证这些分支网络可靠运行,防止因绝缘问题导致事故发生,发电厂和变电站中均安装直流绝缘监察装置。一般而言,由于直流系统正负母线均不接地,所以一点发生接地时,系统仍可继续正常运行,保护继电器不会动
光伏制氢是一种新型清洁能源转换方式,具有环保无污染、经济等特点,且有助于提高对光伏发电的消纳能力、缓解光伏弃光问题,因此得到越来越广泛的关注。其中,离网间接耦合型光伏制氢系统可应用于未铺设电网地区,其核心设备DCDC变换器能够灵活匹配光伏阵列与电解槽的I-V曲线,提高系统效率。然而,现阶段对光伏制氢系统大功率降压DC/DC变换器的拓扑选择、控制策略等内容的研究尚且不足。针对该问题,提出了一种适用于
随着集成电路制造工艺的不断进步,芯片上能够集成越来越多的核心,传统平面金属互联的片上网络(Network on chip,No C)中的数据包平均传输路径不断增长,出现了高延迟和高功耗等问题。无线片上网络(Wireless Network on Chip,WiNoC)由于采用了成熟的无线技术,具有缩短网络直径的特性,受到国内外研究者的广泛关注。然而,引入无线路由器会导致网络中流量聚集从而出现比传统
太赫兹波是指频率范围在0.1 THz至10 THz,介于微波和红外之间的电磁波。近年来,随着微纳加工、超快光学、半导体材料与器件的飞速发展,太赫兹技术的研究价值和应用前景正逐渐被人们所发掘,有望在下一代通信与计算系统、无损安检、生物医药、食品与农产品安全检测、环境监测等领域得到广泛应用。为实现这些应用,研制出能够对太赫兹波进行高效调控的太赫兹功能器件显得非常重要。本文对液晶、钙钛矿介质材料在太赫兹
随着人类文明的进步、科技的发展,由于具有特殊的光电性质和光制发光特性,纳米半导体材料在太阳能开发与功能产品的研发等领域引起了科学家的广泛关注。一方面,半导体材料在一定波长的光照下可以被激化,产生具有还原能力的电子和氧化能力空穴,这使得纳米半导体材料能够被应用于光解水产氢与净化水体污染物。由于具有独特的电子结构与优异的可见光响应能力,新型半导体材料Cd In2S4被进一步开发应用于光解水制氢以及光催
通过给体(D)-受体(A)策略设计高性能有机半导体材料用于有机场效应晶体管被认为是可行的,已经有众多相关文献对其进行了报道。尽管D-A聚合物在溶液加工性能上具有优势,但是其本身的分子量多分散性限制了其大规模应用。D-A小分子有着确定的结构与分子量可以避免材料本身带来的产品批次差异性问题。此外,相对较高的分子量和可调的侧链结构赋予D-A小分子良好的溶液加工性能。本文以茚并二噻吩并[3,2-b]噻吩(
超辐射发光二极管是一种广泛应用于航空航天、医疗以及无线电等领域,具有长寿命和高可靠性的半导体光学器件,因此对其可靠性进行研究有着重要意义。以工作失效寿命为依据的传统可靠性分析方法不适用于长寿命和高可靠性的器件,本文在分析超辐射发光二极管的失效机理后,发现其光功率性能在退化过程中包含大量的信息,因此利用性能退化量对超辐射发光二极管进行可靠性建模,完成可靠性评估工作是可行且有效的。本文主要包含以下内容
电致变色器件(ECDs)是通过离子插层触发氧化还原反应的多功能器件,其颜色和光学特性在施加适度的驱动电位后可以发生可逆性地变化。随着柔性功能电子领域的迅速发展,柔性电致变色器件由于其重量轻、透明和可变形等优点,被认为在下一代能源存储和转换系统中有很好的应用前景。WO3因其优异的可逆显色效率和电致变色稳定性,是ECDs中应用广泛的变色材料之一。通常采用磁控溅射等真空沉积技术在透明柔性衬底上制备WO3
硅(Si)和碳化硅(SiC)键合技术在微机电系统的封装和三维集成封装等领域有着重要的应用。然而,当下的键合方法仍然存在着高温、高成本和工艺复杂等缺点。因此,寻找一种简易的低温键合方法是目前亟需解决的问题。本课题提出了一种基于石墨烯复合浆料为中间层的低温Si-SiC和Si-Si键合方法。首先,研究了烧结温度对石墨烯复合浆料表面形貌,电阻率以及热导率的影响。结果表明,随着烧结温度的升高,石墨烯复合浆料
单粒子翻转会使锁存器、触发器等电路中的逻辑值发生瞬态变化,影响芯片的可靠性。而且随着摩尔定律的发展,单粒子翻转正变得越发严重。首先特征尺寸减小使电路节点电容和工作电压不断减少,导致电路临界电荷减小。临界电荷是反映电路节点逻辑值跳变难易的重要指标,临界电荷越小,芯片越容易发生单粒子翻转。其次特征尺寸减小使节点间的距离不断变小,这将使单个粒子同时影响多个节点,使已有的加固结构失效。单粒子多节点翻转中的