取向硅钢薄带是军工和电子工业中的重要软磁材料。科学技术的快速进步，不断推动系统和器件向大容量、高频化、小型化的方向发展，迫切需要饱和磁感更高、高频损耗更低的取向硅钢。研制具备强Goss织构的取向硅钢薄带是实现上述性能要求的必经之路。 本研究将异步轧制和磁场退火引入取向硅钢超薄带的制备过程，探寻强化取向硅钢薄带织构调控力度和效果的新方法。为此，将0.3mm高磁感取向硅钢以不同速比冷轧成小于100μm的取向硅钢薄带，然后进行了普通和磁场退火，借助X射线衍射和EBSD技术考察了异步轧制和磁场退火对取向硅钢薄带冷轧与再结晶组织及织构的影响。 对冷轧织构的分析表明，轧制方式及工艺参数不改变主要冷轧织构的组分，均由{111}〈112〉以及{554}〈225〉、{332}〈113〉等组成。主要冷轧织构组分的强度随速比和压下量而改变，而且速比和压下量对中心层织构的影响比亚表层显著。 对再结晶组织的观察发现，随冷轧速比提高，再结晶晶粒尺寸增大，其中1.05和1.0速比轧制的薄带相近，而1.17和1.28速比轧制薄带的晶粒尺寸显著增大且易发生二次再结晶。 在各种轧制和退火工艺下，再结晶织构均集中于n取向线。随速比增大、退火温度升高或退火时间延长，主要再结晶织构组分由Goss向{320}〈001〉、{210}〈001〉转变，而Goss织构强度也随之降低。磁场退火延迟同步和小速比异步轧制薄带的主要再结晶织构组分的这种转变，提高Goss织构强度，但对较大速比轧制薄带的Goss织构无有利作用。 比较异步轧制和磁场退火对再结晶组织与织构的影响可知，磁场退火的作用远没有异步轧制显著。 通过综合考虑再结晶晶粒尺寸和Goss织构强度，提出了取向硅钢薄带异步轧制和磁场退火的主要技术参数选取原则。