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本文采用激光分步激发结合场电离探测技术，系统研究了Eu归属于第一电离限4f76s9S4的4f76s(9S)np(8PJ) Rydberg系列的场电离过程，把Eu原子从基态4f76s28S7/2经中间态4f76s6p10p9/2和4f76s7s8S7/2共振激发到4f76snp8PJ束缚态。施加高压脉冲电场使处于这些态上的原子电离，制备Eu束缚态的场电离光谱。其次，固定三步激光的波长，将Eu原子激发到特定的态，在滞后激光脉冲500ns后，施加脉宽(PW)分别为2.5μs和0.2μs的脉冲电场，得到不同脉宽下Eu原子4f76s(9S) npRydberg态场电离(EFI)过程图，把信号突然变大的位置记为态的场电离阈值，解释了黑体辐射在场电离过程中带来的影响。以及脉宽为2.5μs时，Eu原子4f76s(9S)npRydberg态的场电离特性表，首次通过实验拟合得到Eu原子Rydberg态的场电离阈公式。 除了这两个脉宽条件下，还改变PW观察可能对场电离过程产生的影响，然后在几种PW下利用三步激光共振激发并结合场电离探测的技术，研究了Eu原子归属于第一电离限4f76s9S4的4f76snp Rydberg态的场电离过程，得到了不同PW下Eu4f76snpRydberg态的场电离光谱图。特别的是，重点研究了在PW=0.2μs条件下4f76snpRydberg态的场电离过程。 最后，本文还采用激光分步激发结合场电离探测技术探测Sm原子高激发态场电离光谱。 总之，本工作运用EFI技术研究了Eu和Sm两种原子的场电离过程。对于Eu原子不但第一次得到了4f76snp Rydberg态在不同场电离电场下信号的大小，而且意外发现了场电离信号并非随着电场强度的增加而一直加大，在大于某一电场强度后，场电离信号会突然地下将，这一现象也是第一次观察到，在所得场电离的光谱图上叠加了一些包络结构，发现这和黑体辐射有关，并给出相关的解释。最后得到了适用于Eu原子4f76snp Rydberg态和有效量子数之间的关系式。对于Sm原子实验上第一次得到了其场电离图谱。所得实验数据既丰富了Eu和Sm原子外场的数据信息，而且为与之相关的技术研发提供了信息支持。