近年来,随着大数据场景的爆发式增长,后摩尔时代的传统CMOS器件已经到达尺寸极限,无法满足海量数据的存储和分析,阻变存储器为数据的存储和处理提供了新的解决方案。SnS2因其较小的禁带宽度,优异的半导体性能在阻变存储器领域表现出了极大的发展潜力。然而CVD法,水热法等“从下而上”制备SnS2的方法成本较高,不能满足工业化生产的需求,因此本文通过液相剥离法制备了均匀小尺寸SnS2。阻变存储器因其高存储密度,低功耗受到广泛关注,电极的选择对阻变存储器的性能有着重要影响,但是关于电极的选择目前并没有形成统一的共识,常见阻变存储器的阻变类型为金属导电细丝模型,这其中以Cu和Ag导电细丝使用的频率最高。因此本文研究了不同电极对Ag导电细丝和Cu导电细丝阻变存储器性能的影响。本文主要取得以下研究成果:（1）以成品大尺寸SnS2为原料,通过液相剥离法（插层法、液相超声法、细胞破碎法、球磨法）制备了小尺寸SnS2,利用XRD对产物进行物相分析,SEM、TEM对产物进行形貌表征。插层法和液相超声法制备的SnS2尺寸都在微米级别,不能满足阻变存储器对小尺寸的要求,细胞破碎法制备的SnS2尺寸在50 nm～100 nm之间,球磨法制备的SnS2尺寸约为50 nm,形貌均匀且产量最高,能满足工业化生产需求。确定最佳工艺为采用球磨法使成品SnS2在HCON（CH3）2溶液中球磨72 h。（2）制备了（Ag,Cu,Al,Ti）/PMMA/SnS2/Ag四种不同电极结构的阻变存储器,以Ag底电极为正极,研究不同顶电极对SnS2阻变存储器性能的影响。四种阻变存储器都属于双极性非易失性阻变存储器,其阻变效应都可以用Ag导电细丝的形成和断裂来解释,HRS符合欧姆传导机制,LRS符合SCLC传导机制。Ag/PMMA/SnS2/Ag器件可以稳定发生阻变效应,这是因为形成导电细丝所需的Ag+都是在Forming阶段产生的。Ag/PMMA/SnS2/Ag,Cu/PMMA/SnS2/Ag,Ti/PMMA/SnS2/Ag阻变存储器的HRS依次降低,得出对于Ag导电细丝阻变存储器而言,负电极的导电率越低,器件的HRS越低。Al/PMMA/SnS2/Ag阻变存储器,因为Al电极一侧发生电氧化产生了Al2O3,导致它的高阻和低阻都比其他电极的阻变存储器的高阻和低阻略高。Ag/PMMA/SnS2/Ag阻变存储器同时拥有高的开关比和低的工作电压,阻变性能最好,其开关比大于10~6,Set电压约为0.19V。（3）制备了（Cu,Ti,Al,Au）/PMMA/SnS2/Cu四种不同电极的阻变存储器,以Cu底电极为正极,研究了不同顶电极对SnS2阻变存储器性能的影响。（Cu,Al,Ti）/PMMA/SnS2/Cu阻变存储器都属于非易失性阻变存储器。（Cu,Ti）/PMMA/SnS2/Cu阻变存储器的高阻比较低,这是由于Cu的功函数比较高,在器件内部形成了多根Cu导电细丝。Al/PMMA/SnS2/Cu阻变存储器因为Al电极一侧发生氧化,导致Al/PMMA/SnS2/Cu阻变存储器的高阻和低阻都比较高。Au/PMMA/SnS2/Cu阻变存储器为界面势垒调节型阻变存储器。研究了不同限流对Cu/PMMA/SnS2/Ag阻变存储器性能的影响,高限流导致器件的高低阻较低,Reset电压升高。但当限流大于一定值后,阻变存储器会因为焦耳热的原因,导致器件的高阻升高,稳定性变差。