基于TDLAS原理的真空电子器件快速检漏技术研究

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真空电子器件包括稳定管、超高频管等一类的电子管和磁控管、速调管等一类的微波管,已广泛应用于半导体、通信、雷达、导航、计算机、医学诊断等领域。为了保证真空电子器件的长期稳定性,需要定时对真空电子器件进行检漏。传统的真空检漏技术有着测量仪器需要与测量目标接触、测量方法较复杂等方面的缺点。开展真空电子器件的快速、非接触式在线检漏技术的研究具有重要的理论与工程意义。针对工作在大气环境中具有透光窗口的真空电子器件,本文提出一种基于可调谐半导体吸收光谱技术(TDLAS)的真空检漏测量方法。TDLAS作为一种光学非接触的气体检测技术,具有精度高、响应快和性能稳定等特点。本文介绍了以Beer-Lambert定律为理论基础的TDLAS技术应用于痕量气体浓度、环境温度、流场流速以及压强的测量原理;分析了以真空度为测量对象的基于MATLAB Simulink的仿真模型;利用中心波长在763 nm附近的可调谐半导体激光器,搭建了以带有透光窗口的密封腔体为测量载体的基于TDLAS技术的真空检漏系统,设计与建立了系统的各部分光学、电学模块以及面向真空度检测的算法处理;利用TDLAS技术中的波长调制技术(WMS),以仿真结果为参考,结合电流、温度调节,优化调制参数,成功找到了O2位于763.426 nm处的特征吸收峰,研究了各级真空负压与WMS锁相输出的二次吸收谐波各关键参数之间的关系,最终选定了二次谐波吸收峰值作为检漏系统真空度的测量标量,给出了测量拟合多项式。检测系统的探测下限达到0.1 atm,最小分辨率达到了74 Pa,响应时间为1 s,很好的满足了对真空电子器件进行快速检漏应用的要求。本文研究结果证明了利用TDLAS测量技术对真空电子器件进行非接触、快速检漏的可行性,为非介入在线真空设备检测真空度提供了一种可行的方法,同时为TDLAS在压强探测领域上的发展提供了一种新的思路。
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