近些年，人们对磁电阻效应的研究从无机材料发展到有机材料。最新研究表明，有机材料在室温、低磁场(~10mT)下的电阻率可达10％以上，相比于同等条件下的无机非磁性材料电阻变化率要高很多，并且有机半导体的制作工艺与无机相比要简易，对于有机小分子材料，可利用真空蒸镀的来制备薄膜；对于高分子有机材料，则可以采用非真空制备工艺，如匀胶、喷墨打印等方法，可以减少工艺成本。有机材料磁电阻效应具有常温低场性、弱温度依赖性及不依赖磁场方向等特点，从而为实现光、电、磁一体化器件提供了原理基础，并将在计算机、能源、光通信以及传感技术等领域发挥巨大作用。　　本课题中涉及的理论研究属于固体电子学领域中的新兴热点课题，具有重要的基础科学意义；有机磁电阻薄膜及其材料、工艺有望在高容量磁随机存储器（MRAM）、大面积柔性触摸屏等产品中获得实用化，因而也具有较好的应用意义。　　本文制备了不同工艺条件下的聚乙烯基咔唑/8-羟基喹啉铝复合薄膜，利用台阶仪测量制备的薄膜的厚度，薄膜的厚度与载流子的输运有很大的关系，直接影响薄膜在磁场下的电阻值。利用原子力显微镜测试样品表面样貌，及其粗糙度，样品的表面是否均匀平整，直接影响载流子的输运。利用通过数控扫描电源给和亥姆霍兹线圈提供测量磁场环境，使用四探针组件和高精度电阻测量仪测量薄膜电阻率。　　实验结果表明PVK/Alq3在质量配比为4:1，两分子间的超精细作用最强，形成复合分子，外加磁场的作用增大了极化子和单重态激子的形成几率，使得载流子的迁移率增大；薄膜厚度为221.3nm，薄膜的表面均匀，有助于薄膜内载流子的运输，增大了载流子的迁移率；加热温度为60℃时，外界温度可以改善薄膜内的缺陷，增大载流子的迁移率。综合以上三个条件得到最佳的磁电阻率为-30.58％。