用气相传输方法，在抽真空的条件下，用Zr片，Zr粉，Nb片，S粉为主要原料，制备出了一系列的纳米带和纳米片等具有纳米结构的物质，对这些物质进行了表征，并对其场发射及磁性质进行了初步的研究。　　 1.ZrS3与ZrS2纳米带薄膜的控制合成及场发射性质用气相传输方法(CVT)在锆片上制备出了不同形貌的ZrS3纳米结构薄膜，通过实验可知：反应温度对产物结构的形成起着非常重要的作用，在低温下生成纳米片状的结构，随着温度和时间的增加，从550℃10h开始ZrS3纳米带逐渐形成，在800℃10h的条件下，产物仍是是ZrS3纳米带结构，纳米带厚度大约为40～400nm，宽度大约为80～1500nm，长度可达几十μm，ZrS3纳米带在锆片上垂直生长，这种阵列形态的纳米结构具有很好的场发射性质：开启电压较低(<1.5V/μm)且场强系数好，具有很好的阵列结构的ZrS3纳米带，在场发射器件方面有很好的潜在应用和发展前景。ZrS2纳米带阵列是由ZrS3纳米带在通Ar气的条件下真空热解得到的，其场发射的开启电压为0.95 V/μm，阂场电压为3.6 V/μm，具有非常好的场发射性质。　　 2.粉末状的ZrS3及ZrS2纳米带的制备与磁性。　　 在抽真空的条件下，用气相法以Zr粉与S粉为原料，制备出了ZrS3及ZrS2纳米带，在加碘和不加碘两种情况下分别进行了讨论。并用直接气相法和热解法两种方法分别得到了ZrS2纳米带，并对不加碘的体系的磁性进行了测试。　　 3.NbS2与NbS3纳米结构薄膜的控制合成分别在600℃，700℃，800℃，900℃的条件下加热Nb片与S粉的混合物，反应结束后，在锆片上形成了一层纳米结构的薄膜。在不同的温度下得到了不同的形貌：在600℃下生成了NbS3纳米带，在700℃和800℃的条件下生成了NbS2纳米片，在900℃下生成了纳米片与纳米带共存的混合物。