【摘 要】
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氧化锌(ZnO)作为一种直接宽禁带(3.37eV)II-VI族化合物半导体材料,具有优异的光、电性能。相对氮化稼(GaN)、氧化铟锡(ITO)和二氧化锡(SnO2)等材料,ZnO具有原材料丰富、价格低廉、无毒、沉积温度较低及稳定性好等优点,从而在平板显示器件、发光器件、薄膜太阳能电池、表面声波器件、气敏传感器和探测器等领域得到了广泛的应用。通过硼(B)、镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)等单元素掺
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氧化锌(ZnO)作为一种直接宽禁带(3.37eV)II-VI族化合物半导体材料,具有优异的光、电性能。相对氮化稼(GaN)、氧化铟锡(ITO)和二氧化锡(SnO2)等材料,ZnO具有原材料丰富、价格低廉、无毒、沉积温度较低及稳定性好等优点,从而在平板显示器件、发光器件、薄膜太阳能电池、表面声波器件、气敏传感器和探测器等领域得到了广泛的应用。通过硼(B)、镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)等单元素掺杂可以制备出性能较好的ZnO透明导电薄膜(TCO)。近年来,人们探索通过多元素共掺杂的方法进一步提高Zn
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随着可穿戴设备日趋广泛的发展,为了满足实时监测的要求,未来电子元器件将要满足可贴合在各种复杂形状物体表面,例如:人体皮肤表面,进行数据采集分析的能力。将现有的具备高性能的无机电子材料通过与柔性衬底的力学结构设计实现柔性化、可延展化的做法逐渐兴起。在已有的力学结构之中,屈曲模型已经被证明可以成为一种实现以上功能的有效形式。当传统的无机脆性材料被转移至柔性衬底上形成屈曲后,结构整体可以承受超过无机材料
传统的透明导电氧化物薄膜材料In2O3:Sn(即ITO薄膜),由于稀有金属元素铟资源短缺且有毒,使得开发替代ITO薄膜的透明导电氧化物薄膜成为研究热点。铝掺杂的氧化锌(AZO)薄膜具有良好的导电性、可见光透过率高、原材料丰富等优点,被认为是目前替代ITO最佳的候选材料。然而,AZO的实用化仍存在许多问题和困难,例如AZO薄膜的导电性与ITO薄膜材料相比仍有一定的差距,同时AZO的光电性能和微观结构
超细铂粉是一类具有强化学活性的物质,其在微电子、生物医学、催化、等领域都具特异性能。作为贵金属之一,铂资源短缺问题早已是全球性话题,为此,制备分散性好,比表面积高且活性强,粒度均一的超细铂粉是粉体研究人员的共同目标。传统化学液相还原法制备超细铂粉的周期短成本低,但是制备得到的超细铂粉难清洗、易自燃,为此需要探索一种新的制粉工艺,用超声波取代分散剂的作用,反应过程中不加入任何分散剂,通过采用不同的还
六方氮化硼(h-BN)是由硼、氮原子以sp2杂化形式构筑的呈蜂巢结构的层状晶体材料。单层h-BN在结构上与石墨烯十分相似,常被称为“白石墨烯”。2005年,科学家首次制备出了原子级厚度的h-BN薄膜,发现单层或少层h-BN薄膜表现出了优异的光学、电学特性,这引起了科研人员的极大兴趣。另外,h-BN薄膜由于具有大的禁带宽度、平滑的原子级表面、大的介电常数等特性,不仅可以和石墨烯复合制备异质结构用来打
超大规模集成电路的布线尺寸由亚45nm至32nm及更深尺度10nm发展。随着集成电路的尺寸越来越小,性能的要求越来越高,传统的Al布线已经不能满足需求,寻找新的布线材料刻不容缓。因为Cu具有高的抗电迁移性,低的电阻率,高热导等优点成为新一代布线材料。但Cu互连存在诸多问题如：①Cu与Si之间易扩散；②Cu与Si的粘附性能差；③Cu易被氧化等问题。所以本文针对Cu与Si之间的扩散阻挡层问题进行研究。
W和Ti两种金属因为其自身所具有高耐磨、高硬度、优异的耐蚀性以及较低的热膨胀系数等优点而被广泛关注,而二者的复合又使综合性能有了较大提升。由于二者的熔点较高(W的熔点为3400℃、Ti的熔点为1668℃),所以常规工艺很难制备出混合均匀的合金材料。随着微型电子半导体、航天及汽车行业的不断发展,诸多性能独特的金属基薄膜材料被广泛应用。其中W-Ti薄膜由于热稳定性良好、电阻率较低、耐腐蚀性优良、抗氧化
HgCdSe作为第三代重要的中长波红外探测材料引起了国内外学者的广泛关注。然而,HgCdSe和Si材料存在较大的晶格失配(约19%),需要在两者之间选择制备过渡层材料,InAs的晶格常数介于HgCdSe和Si之间,可以作为重要的候选过渡层材料；并且,InAs材料可以应用在磁阻和霍尔元器件、量子点激光器元件、太阳能电池和红外探测器元件等方面,具有广泛的研究和应用前景。本论文采用热壁外延技术,通过对生
涂布膜是高性能薄膜的重要分支和发展方向。涂布膜的发明使得加工过薄膜的属性相对于原有属性得到改善和加强,其生产加工过程需要经过涂布复合等生产工序。涂布生产线就是在薄膜加工过程中,将含有特定配比的涂布液通过狭缝涂布的方式喷涂在薄膜上,经过烘箱烘干后卷取成型的集成型生产系统。涂布膜生产过程中的张力与涂布工艺决定了成品薄膜的品质。整个涂布生产过程中,生产线上基材张力的控制需要贯穿整个生产环节。张力波动会影
SnS薄膜是一种新型光伏材料,适合作为太阳电池和光电器件光吸收层。ZnS薄膜具有较高的可见光透过率和良好的光电性能,适合作为太阳能电池的窗口层。SnS和ZnS薄膜在异质结太阳电池中有很好的应用潜力。本文研究脉冲激光沉积法制备SnS、ZnS薄膜及其器件,主要研究不同退火温度对SnS薄膜的影响,能量密度和重复频率对ZnS薄膜的影响,以及SnS/ZnS异质结器件的制备。利用脉冲激光沉积法在玻璃衬底上生长
以呼吸图案法制备的蜂窝状多孔结构为模板,可以制备出具有高度有序微、纳米结构的阵列如纳米粒子阵列、微筛分离膜、响应性功能膜、微透镜阵列、超疏水模板、细胞培养模板等,具有广泛的应用前景。纳米粒子在聚合物溶液和水滴界面自组装,最终可以形成不同的纳米阵列,这种微纳米阵列依据纳米材料的结构与性质不同,可以用于传感器、催化剂、光子学和微反应器等领域。本论文详细的讨论了多孔薄膜形成的几种主要因素；成功的将PS-