SnSe热电薄膜材料的制备及特性研究

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【摘要】

：

热电材料性能优越且可直接将热能转化为电能,是未来具有广泛应用前景的一种环境友好型材料。硒化锡(SnSe)自身是Ⅳ-Ⅵ族、窄带隙p型半导体,其体相材料的直接带隙大小约为1.3eV,间接带隙大小约为0.9eV,是一种潜在的、利用率极高的可应用于薄膜太阳能电池的新型吸收层材料。近来,受到了世界范围内研究者的重视。根据当前SnSe半导体的研究问题,本文开展了SnSe半导体薄膜制备及掺杂改性特性研究。主要研

【作者】

：

刘玲毓

【机构】

：

辽宁师范大学

【发表日期】

：

2017年04期

【关键词】

：

热电薄膜硒化锡热电特性热蒸发镀膜法金属掺杂元素

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