目前,磁控溅射技术广泛应用到表面改性、装饰薄膜、光学薄膜、超导薄膜以及功能薄膜等薄膜制备中。由于磁控溅射镀膜技术具有很多优点,比如沉积原子(离子)能量高,生成的膜层致密度高,膜层附着力强且应力小等优点,故其已经成为镀制薄膜的主要技路径。但靶材利用率低一直是磁控溅射镀膜工业的主要难题,通常靶材利用率在20%-35%,多年以来研究人员一直通过各种途径提高靶材利用率。所以如何提高靶材利用率成为一个重要课题。本文以磁约束原理作为理论基础,研发设计了一款新型磁控溅射源来提高靶材的利用率。此溅射源采用磁镜原理将等离子体约束在靶的上方,这样靶材刻蚀区域就不是传统的“跑道环”形式,而是整体刻蚀的全新形式。本设计使用Ansys有限元分析软件对磁场进行模拟仿真,并在此基础上完成了磁场设计、电场设计和靶的结构设计,并加工出原理样机,选用纯铝作为靶材在真空室中对实验装置进行试验测试。实验结果表明：磁控溅射源的工作状态稳定,与传统磁控溅射源的刻蚀效果相比有很大改善,靶面没有“跑道环”出现,刻蚀区域为整个靶面。当靶面磁场强度为37-45mT时,气体压强3.1Pa,输出电压350V,输出电流0.6A时溅射源工作最稳定,刻蚀区域面积最大,靶面整体刻蚀。