21世纪，人类面临着能源危机及生态环境的恶化，改变能源结构、发展绿色能源已成为备受关注的课题。太阳能是最具应用前景的可再生清洁能源之一，利用太阳能电池可以无任何材料损耗的将太阳能转换为人类可利用的电能。在太阳能电池领域，要提高光电转换效率、降低生产成本及对环境友好，最基本且关键的问题在于材料的选择及制备。本文研究的Cu₂ZnSnS₄（CZTS）是最有发展前景的新型太阳能电池材料之一，其所含元素无毒且含量丰富，基于CZTS的太阳能电池理论转换效率达32.2%。本文对CZTS薄膜及其异质结器件的制备和性能进行研究和探讨。利用了脉冲激光沉积（PLD）法及磁控溅射法制备了CZTS薄膜。利用PLD法在玻璃衬底上、在不同脉冲激光能量条件下制备一系列CZTS薄膜；利用磁控溅射法在室温条件下、在玻璃衬底上沉积CZTS薄膜，并经Ar气氛保护、不同温度的快速退火，制备了一系列的CZTS薄膜。利用X射线能量色散谱（EDS）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外-可见-近红外分光光度计（UV-VIS-NIR）等表征手段，对不同条件下制备CZTS样品的薄膜化学组分、晶体结构、表面形貌、光学和电学性质进行表征分析，得到制备高质量CZTS薄膜的工艺条件。利用PLD法制备了p-CZTS/n-Si及p-CZTS/n-ZnS异质结器件，利用半导体参数测试系统等对制备的异质结进行表征，I-V测试结果表明，所制备的p-CZTS/n-Si异质结器件具有良好的整流特性和一定的光伏特性，p-CZTS/n-ZnS异质结器件具有良好的整流特性和光电响应。