SiC的宽禁带宽度和高临界击穿场强特性使得其在功率器件应用方面被寄予厚望。与其它宽带隙半导体相比,SiC能够像硅那样通过热氧化工艺生长氧化膜,这使得它更容易在成熟的硅器件体系下设计和制作基于MOS(金属／氧化物／半导体)结构的器件。而SiO2/SiC较高的界面态密度严重影响了SiC功率MOSFET性能的发挥,这使得SiCMOS界面特性成为了SiC基MOS器件研究的重点。本文首先结合经典Si MOS电容表征理论,考虑到SiC材料所具有的特殊物理特性,对SiC MOS电容表征的基本理论进行了探索,并对高低频C-V法和交流电导法在SiCMOS电容表征中的应用进行了修正和完善。然后基于ECR(电子回旋共振)微波等离子体系统对SiO2/4H-SiC界面进行氮氢混合等离子体处理并将样品制作成MOS电容结构,采用交流电导法对等离子体处理前后的样品界面进行了评价,获得了不同工艺下界面态密度分布和氧化绝缘膜中的电荷分布情况,其中,在靠近导带处(Ec-E=0.25eV),经氮氢混合等离子体处理10min的样品的界面态密度降低至3.65×1012cm-2eV-1。这表明氮氢等离子体处理SiO2/4H-SiC界面能有效降低界面态密度,改善MOS界面特性。同时,本文也比较了高低频C-V法和交流电导法分别确定的界面特性,结果表明电导法的测量范围虽较窄但测试结果较准确可靠。本文的研究结果表明,室温下电导法评价SiC MOS界面虽然测量范围有限,但测试结果较高低频C-V法更加准确。同时氮氢等离子体处理能有效降低SiO2/4H-SiC界面态密度。