氮化铟（InN）材料在Ⅲ族氮化物半导体材料中具有最高的迁移率、电子漂移速率和尖峰速率，并且还具有最小的电子有效质量，在高频高速晶体管的应用上有独特的优势。InN的物理性质，尤其是电学特性，是决定其应用价值的关键因素，非常有必要进行系统详细的研究。本论文将薄膜制备与光刻技术相结合，在金刚石对顶砧（DAC）上集成测量微电路，并且利用DAC产生的高压条件，对InN晶体样品的电输运性质进行了系列研究，给出了InN在高压下的电阻率、霍尔系数、载流子浓度和载流子迁移率等电输运参数随压力和温度的变化规律。与此同时，利用第一性原理方法对InN的能带结构进行了理论计算。具体研究结果如下：第一，对InN的电阻率在压力作用下的变化规律的研究发现：第一次加压过程中，InN晶体在11.1GPa附近出现电阻率的不连续变化，这个压力区与文献报道的InN存在的纤锌相—岩盐相的结构相变的压力点（12GPa）基本吻合，表明InN在纤锌相—岩盐相的结构相变过程中同时存在电阻率的不连续变化；第二次加压过程中，InN电阻率于12.2GPa处再次发生了不连续变化，说明InN晶体的纤锌相—岩盐相的压致结构相变是一个可逆相变。第二，对InN进行了高压下原位霍尔效应测量，得到了霍尔系数、载流子浓度以及迁移率随压力的变化关系。实验结果表明：从常压到1.5GPa，InN的霍尔系数随压力增加而增加；到达1.5GPa之后，霍尔系数转而随压力的增加而下降并持续到4GPa；4GPa—11GPa，霍尔系数呈现上升的趋势；从11GPa开始直到25GPa，霍尔系数一直呈现下降的趋势。在常压到25GPa的压力范围内，InN的载流子浓度随压力的变化呈现出与霍尔系数相同的变化规律，而迁移率呈现出与霍尔系数和载流子浓度近乎相反的变化规律。在11GPa处样品InN的三个电学参数所共同表现出来的不连续变化表明：InN的纤锌相—岩盐相的相变，会引起一系列电输运参数的相应变化。高压原位霍尔效应测量还显示：InN的霍尔系数、载流子浓度和迁移率同时在9GPa处存在异常，对应着一个等同结构相变。第三，有关InN在不同压力下电阻率随温度变化的测量结果表明：在所测压力点下，InN的电阻率随温度的升高一直呈上升趋势，表现出一种反常的类金属电传导行为。在所测的温度区间（100K—300K），温度的升高对于样品的载流子浓度几乎没有影响，样品的电阻率随温度的变化是由载流子迁移率所决定的。载流子迁移率随温度的升高而减小，最终导致了电阻率随温度的升高而增大，样品表现出类金属电传导行为。此外，InN的温度系数在10GPa的突然转变，恰好与样品InN在此压力附近发生的纤锌相—岩盐相的结构相变保持了一致。第四，利用第一性原理计算方法对不同结构InN的能带结构进行了计算，结果显示：常压时，纤锌矿结构的InN是直接带隙半导体材料，带隙宽度为0.08eV，当压力增加时，其带隙宽度缓慢增加；12GPa发生相变之后，岩盐矿结构的InN是间接带隙半导体材料，带隙宽度为0.33eV，且随压力的增加明显增大。理论计算得到的带隙宽度随压力的整体变化规律与实验测得的电阻率随压力的变化规律表现出很大程度上的相似。相变前：带隙宽度缓慢增加导致样品电子迁移率的减小，进而导致实验测得的电阻率缓慢增加；相变后：带隙宽度的迅速增大引起样品载流子浓度的减小，致使测得的电阻率随压力的增加明显增大。