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长余辉发光材料是一种能够将激发光能量储存起来,能量在激发光源关闭后以可见光的形式释放出来,形成持续发光。近年来,随着人们节能环保意识的加强,红色长余辉发光材料越来越受到人们的关注,目前,蓝色和绿色长余辉发光材料的长余辉性能已经有了很大发展,而红色长余辉发光材料因为余辉时间短、发光强度低等原因一直没有达到广泛应用。因此,寻找具有良好性能的红色和近红外长余辉发光材料,具有重要的实际意义。本文采用高温固相法合成了Cr3+离子掺杂镓酸盐系列近红外长余辉发光材料和采用高温碳热还原氮化法制备了Eu2+离子掺杂硅基氮化物Sr2Si5N8:Eu2+红色发光材料。讨论了Zn元素对MgGa2O4:Cr3+中的Mg元素做等价替代对结构和发光性能的影响。以及分别用Ge元素和Si元素对ZnGa2O4:Cr3+中的Ga元素做不等价替代对结构和发光性能的影响。并研究了不同SrCO3与Si3N4的摩尔比k对Sr2Si5N8:Eu2+合成和发光性能的影响。（1）通过高温固相法制备了ZnxMg（1-x）Ga2O4:0.5%Cr3+（x=0、0.2、0.6、0.8、1.0）磷光体样品。X射线衍射谱发现随着x值得增大,晶体面间距逐渐增加晶格膨胀,光致发光特性表明样品的近红外发射峰均由以Cr3+为发光中心的电子2E4A2跃迁所致,紫外激发下的发射峰由704nm逐渐移动到696nm,向短波长方向移动,长余辉时间逐渐变短,热释光峰逐渐由473K降低到384K。不同Zn掺入量的样品余辉衰减快慢不同（2）通过高温固相法制备了Zn（1+x）Ga（2-2x）GexO4:Cr3+（x=0、0.2、0.4、0.6、0.8、1.0）磷光体样品。X射线衍射谱表明当x≤0.4时,产物的物相结构为ZnGa2O4立方结构；当x≥0.6时,产物的物相结构转变为Zn2GeO4三方结构。光致发光特性表明样品的近红外发射峰均由以Cr3+为发光中心的电子2E4A2跃迁与4T2-4A2跃迁共同所致.所制备的材料具有近红外长余辉发光性能,余辉衰减曲线和热释光分析发现,不同Ge掺入量的样品中存在陷阱能级深度不同；样品长余辉特性来源于发光中心与陷阱之间的量子隧穿效应。（3）通过高温固相法制备了Zn（1+x）Ga（2-2x）SixO4:Cr3+（x=0、0.4、0.6、0.8、1.0）磷光体样品。样品的结构与光致发光特性都与Zn（1+x）Ga（2-2x）GexO4:Cr3+系列样品相似,然而,样品具有较强的红色长余辉特性。（4）通过碳热还原氮化法制备了不同SrCO3Si3N4的摩尔比k（k=1.6,1.8,2.0,2.2,2.4,2.6）的硅基氮化物Sr2Si5N8:Eu2+系列红色发光样品。XRD图谱发现当k=2.2时样品是Sr2Si5N8:Eu2+研究了样品的光致发光特性，同样证明当k=2.2时样品是Sr2Si5N8:Eu2+;通过样品的色坐标分析发现,当k=2.2时样品发光在红光区,可以与蓝光结合形成白光。