移相器是控制和改变电磁波相移的主要元件，在雷达探测、无线通信、遥感探测等应用领域有着广阔的前景。硅基集成电路技术的飞速发展，特别是可工作于射频和微波频段的SiGe BiCMOS工艺的发展，使得制造与硅基成熟工艺兼容、低成本和高集成度的单片集成的移相器成为了可能。虽然传统的无源移相器的相移精度高，功耗低，但是它的损耗高，占用的芯片面积大，需要一些特殊的传输线工艺都限制了移相器的集成度、成本和易用性。出于对这个问题的考虑，本设计利用现有的SiGe BiCMOS工艺，选取有源结构，在满足低差损的前提下以实现了低噪声有源数控移相器。此移相器采用极性调制方法，包括有源低噪声巴伦、差分正交全通滤波器、差分矢量合成器、DAC电流镜及数控电路、用于增益补偿的宽带放大器和偏置电路。有源低噪声巴伦采用有源电路结构，减小了电路的噪声系数，实现了信号的转换和阻抗匹配；移相器电路采用无源结构产生两路正交信号，具有增益平坦度好、宽频带等优点；通过DAC和数控电路的控制，矢量合成器由两个采用开关管的吉尔伯特单元组成，并通过改变I和Q路尾电流的比值以实现所求的相位，并引入了具有感性输出阻抗的有源电感来增加带宽并节省芯片面积；宽带放大器用来补偿前面各电路引入的损耗；带隙基准则为各个模块电路提供合理的偏置，采用高阶温度补偿以减小对DAC电流镜的影响。此移相器基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺。得到的数据表明，在X和K波段工作频段内，输出信号相位的均方根误差<6.1°，增益均方根误差<0.518dB，在18GHz处的输入Pin1dB-16.539±2.34dBm，输入反射系数S11<-15.07dB，输出反射系数S22<-11.87dB，噪声系数NF<25dB，表明该移相器的设计达到了预期的指标。